TP90H180PS

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Трансформ

Өнім санаты:

MOSFET

Технология:

GaN Si

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

900 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

15 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

205 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.6 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

18 V

Qg - қақпа заряды:

10 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

78 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Трансформ

Күз уақыты:

7.4 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

5 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

40 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

26 ns

Tags

TP90, TP9