E3M0280090D

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Cree, Inc.

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

SiC

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-247-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

900 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

11.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

364 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.7 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

18 V, - 8 V

Qg - қақпа заряды:

9.5 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

54 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Wolfspeed / Cree

Форвард өткізгіштік - Мин:

3.6 S

Күз уақыты:

7.5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

10 ns

Зауыттық буманың саны:

600

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

17.5 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

26 ns

Tags

E3M0, E3M