SQ4532AEY-T1_GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

7.3 A, 5.3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

21 mOhms, 56 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.5 V, 2.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

5.9 nC, 7.9 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

3.3 W, 3.3 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Серия:

SQ

Транзистор түрі:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

22 S, 5.5 S

Күз уақыты:

19 ns, 16 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

17 ns, 17 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

10 ns, 19 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

7 ns, 6 ns

Бірлік салмағы:

0.002610 oz

Tags

SQ4532A, SQ45, SQ4