IRF9389TRPBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

6.8 A, 4.6 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

22 mOhms, 51 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

6.8 nC, 8.1 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2 W

Конфигурация:

Қосарлы

Сауда атауы:

HEXFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.75 mm

Ұзындығы:

4.9 mm

Серия:

IRF939

Транзистор түрі:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ені:

3.9 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

8.2 S, 4.1 S

Күз уақыты:

3.9 ns, 15 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

4.8 ns, 14 ns

Зауыттық буманың саны:

4000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

4.9 ns, 17 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

5.1 ns, 8 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001551666

Бірлік салмағы:

0.017870 oz

Tags

IRF938, IRF93, IRF9, IRF