IXFK20N120P

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-264-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1.2 kV

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

20 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

570 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

6.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

193 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

780 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

HiPerFET

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

26.16 mm

Ұзындығы:

19.96 mm

Серия:

IXFK20N120

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

Полярлық қуат MOSFET HiPerFET

Ені:

5.13 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

10 S

Күз уақыты:

70 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

45 ns

Зауыттық буманың саны:

25

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

72 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

49 ns

Бірлік салмағы:

0.352740 oz

Tags

IXFK20N, IXFK20, IXFK2, IXFK, IXF