IXFK200N10P

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-264-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

200 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

7.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

235 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

830 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

HiPerFET

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

26.59 mm

Ұзындығы:

20.29 mm

Серия:

IXFK200N10

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

Polar HiPerFET Power MOSFET

Ені:

5.31 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

60 S

Күз уақыты:

90 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

35 ns

Зауыттық буманың саны:

25

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

150 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

30 ns

Бірлік салмағы:

0.352740 oz

Tags

IXFK20, IXFK2, IXFK, IXF