SIA519EDJ-T1-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PowerPAK-SC70-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

4.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

40 mOhms, 90 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

600 mV, 500 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

4.5 V

Qg - қақпа заряды:

3.7 nC, 5.3 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

7.8 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

TrenchFET, PowerPAK

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.75 mm

Ұзындығы:

2.05 mm

Серия:

SIA

Транзистор түрі:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ені:

2.05 mm

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

12 S, 7 S

Күз уақыты:

16 ns, 10 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

21 ns, 25 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

12 ns, 20 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

10 ns, 20 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SIA519EDJ-GE3

Бірлік салмағы:

0.000988 oz

Tags

SIA519E, SIA519, SIA51, SIA5, SIA