IXTQ200N10T

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-3P-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

200 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

5.5 mOhms

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

550 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

HiPerFET

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

20.3 mm

Ұзындығы:

15.8 mm

Серия:

IXTQ200N10

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

4.9 mm

Бренд:

IXYS

Күз уақыты:

34 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

31 ns

Зауыттық буманың саны:

30

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

45 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

35 ns

Бірлік салмағы:

0.194007 oz

Tags

IXTQ20, IXTQ2, IXTQ, IXT