IXTQ26P20P

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-3P-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

200 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

26 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

170 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

300 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Ұзындығы:

15.8 mm

Серия:

IXTQ26P20

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

4.9 mm

Бренд:

IXYS

Күз уақыты:

21 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

33 ns

Зауыттық буманың саны:

30

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

46 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

18 ns

Бірлік салмағы:

0.194007 oz

Tags

IXTQ26, IXTQ2, IXTQ, IXT