BSO150N03MDGXUMA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

9.3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

12.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

17 nC, 17 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

OptiMOS

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.75 mm

Ұзындығы:

4.9 mm

Серия:

OptiMOS 3M

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

3.9 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

12 S, 12 S

Күз уақыты:

4.2 ns, 4.2 ns

Ылғалға сезімтал:

Иә

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

3.8 ns, 3.8 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

8.7 ns, 8.7 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

7.3 ns, 7.3 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSO150N03MD BSO15N3MDGXT G SP000447476

Бірлік салмағы:

0.019048 oz

Tags

BSO150N03MDG, BSO150N03M, BSO150N0, BSO150, BSO15, BSO1, BSO