CGHV35060MP

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Cree, Inc.

Өнім санаты:

RF JFET транзисторлары

RoHS:

Y

Транзистор түрі:

HEMT

Технология:

GaN

Табыс:

14.5 dB

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

150 V

Vgs - Gate-Source бұзылу кернеуі:

- 10 V, 2 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

10.4 A

Шығу қуаты:

75 W

Су төгетін қақпаның максималды кернеуі:

50 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 40 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 107 C

Pd - қуаттың шығыны:

52 W

Орнату стилі:

SMD/SMT

Қаптама:

Ролик

Қолдану:

S Band Radar және LTE базалық станциялары

Конфигурация:

Бойдақ

Жұмыс жиілігі:

3.5 GHz

Жұмыс температурасының диапазоны:

- 40 C to + 107 C

Бренд:

Wolfspeed / Cree

Өнім түрі:

RF JFET транзисторлары

Зауыттық буманың саны:

250

Ішкі санат:

Транзисторлар

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

- 3 V

Tags

CGHV35, CGHV3, CGHV, CGH