OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Сәлем, жүйеге кіріңізМенің аккаунтым
0 Арба

SIHB12N50C-E3

SIHB12N50C-E3
Mfr. #:
SIHB12N50C-E3
Өндіруші:
Vishay / Siliconix
Сипаттама:
MOSFET N-Channel 500V
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SIHB12N50C-E3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SIHB12N50C-E3 DatasheetSIHB12N50C-E3 Datasheet (P4-P6)SIHB12N50C-E3 Datasheet (P7-P9)SIHB12N50C-E3 Datasheet (P10)
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
SIHB12N50C-E3 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
Вишай
Өнім санаты:
MOSFET
RoHS:
Y
Технология:
Си
Орнату стилі:
SMD/SMT
Пакет/қорап:
TO-263-3
Арналар саны:
1 Channel
Транзистордың полярлығы:
N-арна
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
560 V
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:
12 A
Rds On - ағызу көзіне қарсылық:
555 mOhms
Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:
5 V
Vgs - Шлюз көзі кернеуі:
30 V
Qg - қақпа заряды:
32 nC
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 55 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 150 C
Pd - қуаттың шығыны:
208 W
Конфигурация:
Бойдақ
Арна режимі:
Жақсарту
Қаптама:
Жаппай
Бренд:
Вишай / Силиконикс
Күз уақыты:
6 ns
Өнім түрі:
MOSFET
Көтеру уақыты:
35 ns
Зауыттық буманың саны:
1000
Ішкі санат:
MOSFETs
Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:
23 ns
Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:
18 ns
Бірлік салмағы:
0.050717 oz
Tags
SIHB12N5, SIHB12N, SIHB12, SIHB1, SIHB, SIH
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ied Electronics & Automation
SIHB12N50C-E3 N-channel MOSFET Transistor; 12 A; 500 V; 3-Pin D2PAK
***et
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
*** Europe
N-CH SINGLE 500V TO263
SiHx12N50C-E3 500V N-Channel Power MOSFETs
Vishay Siliconix SiHx12N50C-E3 500V, 12A N-Channel Power MOSFETs with ultra-low 0.555-Ω maximum on-resistance at a 10V gate drive and an improved gate charge of 48nC. The low on-resistance of the Vishay Siliconix SiHP12N50C-E3 (TO-220 package), SiHF12N50C-E3 (TO-220 FULLPAK), and SiHB12N50C-E3 (D²PAK) translates into lower conduction losses that save energy in power factor correction (PFC) boost circuits, pulse width modulation (PWM) half bridges, and LLC topologies in a wide range of applications, including notebook computer AC adapters, PCs, LCD TVs, and open-frame power supplies. SiHx12N50C-E3 500V Power MOSFETs feature a gate charge of 48nC. Gate charge times on-resistance is a low 26.54Ω-nC. These Vishay Siliconix Power MOSFETs are produced using Vishay Planar Cell technology, which has been tailored to minimize on-state resistance and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation mode. The SiHP12N50C-E3, SiHG12N50C-E3, and SiHB12N50C-E3 offer improved switching speed and conduction losses compared to previous-generation MOSFETs.Learn More
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SIHB12N50C-E3
DISTI # SIHB12N50C-E3-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$2.9106
SIHB12N50C-E3
DISTI # SIHB12N50C-E3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Tape and Reel (Alt: SIHB12N50C-E3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 1000
Container: Reel		Americas - 0
  • 1000:$2.6900
  • 2000:$2.5900
  • 4000:$2.4900
  • 6000:$2.3900
  • 10000:$2.3900
SIHB12N50C-E3
DISTI # 70616559		Vishay SiliconixSIHB12N50C-E3 N-channel MOSFET Transistor,12 A,500 V,3-Pin D2PAK
RoHS: Compliant		0
  • 100:$3.2400
  • 250:$2.7400
  • 500:$2.5400
  • 1000:$2.3700
SIHB12N50C-E3
DISTI # 781-SIHB12N50C-E3		Vishay IntertechnologiesMOSFET N-Channel 500V
RoHS: Compliant		1000
  • 1:$5.3000
  • 10:$4.3900
  • 100:$3.6100
  • 250:$3.5000
  • 500:$3.1400
  • 1000:$2.6500
  • 2000:$2.5200
SIHB12N50C-E3Vishay IntertechnologiesMOSFET N-Channel 500V
RoHS: Compliant		Americas -
    Сурет Бөлім № Сипаттама
    SIHB12N50E-GE3

    Mfr.#: SIHB12N50E-GE3

    OMO.#: OMO-SIHB12N50E-GE3

    		 MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
    SIHB12N60E-GE3

    Mfr.#: SIHB12N60E-GE3

    OMO.#: OMO-SIHB12N60E-GE3

    		 MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
    SIHB12N65E-GE3

    Mfr.#: SIHB12N65E-GE3

    OMO.#: OMO-SIHB12N65E-GE3-VISHAY

    		 IGBT Transistors MOSFET 650V 392mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS
    SIHB12N50C-E3

    Mfr.#: SIHB12N50C-E3

    OMO.#: OMO-SIHB12N50C-E3-VISHAY

    		 IGBT Transistors MOSFET N-Channel 500V
    SIHB12N50E-GE3

    Mfr.#: SIHB12N50E-GE3

    OMO.#: OMO-SIHB12N50E-GE3-VISHAY

    		 IGBT Transistors MOSFET N-Channel 500V
    SIHB12N50C

    Mfr.#: SIHB12N50C

    OMO.#: OMO-SIHB12N50C-1190

    		 Жаңа және түпнұсқа
    SIHB12N60E

    Mfr.#: SIHB12N60E

    OMO.#: OMO-SIHB12N60E-1190

    		 Жаңа және түпнұсқа
    SIHB12N60EGE3

    Mfr.#: SIHB12N60EGE3

    OMO.#: OMO-SIHB12N60EGE3-1190

    		 Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
    SIHB120N60E-GE3

    Mfr.#: SIHB120N60E-GE3

    OMO.#: OMO-SIHB120N60E-GE3-VISHAY

    		 MOSFET N-CHAN 650V D2PAK (TO-263
    SIHB12N60ET1-GE3

    Mfr.#: SIHB12N60ET1-GE3

    OMO.#: OMO-SIHB12N60ET1-GE3-VISHAY

    		 MOSFET N-CH 600V 12A TO263
    Қол жетімділік
    Қор:
    Available
    Тапсырыс бойынша:
    3000
    Саны енгізіңіз:
    SIHB12N50C-E3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
    Анықтамалық баға (USD)
    Саны
    Тауар өлшемінің бағасы
    Қосымша. Бағасы
    1000
    2,64 $
    2 640,00 $
    2000
    2,51 $
    5 020,00 $
    2021 жылдан бастап жартылай өткізгіштің жетіспеушілігіне байланысты 2021 жылға дейінгі қалыпты баға төмен. Растау үшін сұрау жіберіңіз.
    -ден бастаңыз
    Ең жаңа өнімдер
    More Newest Products
    Top