BSC097N06NSTATMA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PG-TDSON-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

46 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

9.7 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

12 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

36 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

24 S

Күз уақыты:

2 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

2 ns

Зауыттық буманың саны:

5000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

10 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSC097N06NST SP001666496

Tags

BSC097, BSC09, BSC0, BSC