OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Сәлем, жүйеге кіріңізМенің аккаунтым
0 Арба

IXFN26N90

IXFN26N90
Mfr. #:
IXFN26N90
Өндіруші:
Littelfuse
Сипаттама:
MOSFET 900V 26A
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
IXFN26N90 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
IXYS
Өнім санаты:
MOSFET
RoHS:
Y
Технология:
Си
Орнату стилі:
Шасси бекіткіші
Пакет/қорап:
SOT-227-4
Арналар саны:
1 Channel
Транзистордың полярлығы:
N-арна
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
900 V
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:
26 A
Rds On - ағызу көзіне қарсылық:
300 mOhms
Vgs - Шлюз көзі кернеуі:
20 V
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 55 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 150 C
Pd - қуаттың шығыны:
600 W
Конфигурация:
Бойдақ
Арна режимі:
Жақсарту
Сауда атауы:
HyperFET
Қаптама:
Түтік
Биіктігі:
9.6 mm
Ұзындығы:
38.23 mm
Серия:
IXFN26N90
Транзистор түрі:
1 N-Channel
Ені:
25.42 mm
Бренд:
IXYS
Форвард өткізгіштік - Мин:
28 S
Күз уақыты:
24 ns
Өнім түрі:
MOSFET
Көтеру уақыты:
35 ns
Зауыттық буманың саны:
10
Ішкі санат:
MOSFETs
Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:
130 ns
Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:
60 ns
Бірлік салмағы:
1.058219 oz
Tags
IXFN26N, IXFN26, IXFN2, IXFN, IXF
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
Mosfet Transistor, N Channel, 26 A, 900 V, 300 Mohm, 10 V, 5 V Rohs Compliant: Yes
***inecomponents.com
Trans MOSFET N-CH 900V 26A 4-Pin SOT-227B
***ment14 APAC
MOSFET, N, SOT-227B; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:26A; Drain Source Voltage Vds:900V; On Resistance Rds(on):300mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:600W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:ISOTOP; No. of Pins:3; Avalanche Single Pulse Energy Eas:3J; Current Id Max:26A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Isolation Voltage:2.5kV; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; No. of Transistors:1; On State Resistance Max:300mohm; Package / Case:ISOTOP; Power Dissipation Pd:600W; Power Dissipation Pd:600W; Pulse Current Idm:104A; Rate of Voltage Change dv / dt:5Vµs; Repetitive Avalanche Energy Max:64mJ; Termination Type:Screw; Voltage Vds Typ:900V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5V; Weight:0.044kg
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
IXFN26N90
DISTI # V99:2348_17750909		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 900V 26A 4-Pin SOT-227B
RoHS: Compliant		0
    IXFN26N90
    DISTI # IXFN26N90-ND    		IXYS CorporationMOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Tube    		175In Stock
    • 100:$26.9864
    • 30:$29.0360
    • 10:$31.5980
    • 1:$34.1600
    IXFN26N90
    DISTI # 14J1685    		IXYS CorporationMOSFET Transistor, N Channel, 26 A, 900 V, 300 mohm, 10 V, 5 V RoHS Compliant: Yes0
      IXFN26N90
      DISTI # 747-IXFN26N90      		IXYS CorporationMOSFET 900V 26A
      RoHS: Compliant      		0
      • 20:$31.6000
      • 30:$29.0400
      • 50:$27.8000
      • 100:$26.9900
      • 200:$24.7700
      IXFN26N90
      DISTI # 4905570      		IXYS CorporationMOSFET, N, SOT-227B
      RoHS: Compliant      		0
      • 250:$37.5200
      • 100:$40.8900
      • 30:$43.9900
      • 10:$47.8700
      • 1:$51.7500
      Сурет Бөлім № Сипаттама
      IXFN180N15P

      Mfr.#: IXFN180N15P

      OMO.#: OMO-IXFN180N15P

      		 MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Rds
      IXFN360N15T2

      Mfr.#: IXFN360N15T2

      OMO.#: OMO-IXFN360N15T2

      		 MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
      IXFN44N80P

      Mfr.#: IXFN44N80P

      OMO.#: OMO-IXFN44N80P

      		 MOSFET 36 Amps 800V
      IXFN80N50Q3

      Mfr.#: IXFN80N50Q3

      OMO.#: OMO-IXFN80N50Q3

      		 MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/63A
      IXFN300N10P

      Mfr.#: IXFN300N10P

      OMO.#: OMO-IXFN300N10P

      		 MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET
      IXFN44N50U3

      Mfr.#: IXFN44N50U3

      OMO.#: OMO-IXFN44N50U3-IXYS-CORPORATION

      		 MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
      IXFN48N45

      Mfr.#: IXFN48N45

      OMO.#: OMO-IXFN48N45-1190

      		 Жаңа және түпнұсқа
      IXFN80N50P

      Mfr.#: IXFN80N50P

      OMO.#: OMO-IXFN80N50P-IXYS-CORPORATION

      		 MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227
      IXFN73N30

      Mfr.#: IXFN73N30

      OMO.#: OMO-IXFN73N30-IXYS-CORPORATION

      		 MOSFET 300V 73A
      IXFN100N20

      Mfr.#: IXFN100N20

      OMO.#: OMO-IXFN100N20-IXYS-CORPORATION

      		 MOSFET 100 Amps 200V 0.023 Rds
      Қол жетімділік
      Қор:
      Available
      Тапсырыс бойынша:
      3500
      Саны енгізіңіз:
      IXFN26N90 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
      Анықтамалық баға (USD)
      Саны
      Тауар өлшемінің бағасы
      Қосымша. Бағасы
      20
      31,60 $
      632,00 $
      30
      29,04 $
      871,20 $
      50
      27,80 $
      1 390,00 $
      100
      26,99 $
      2 699,00 $
      200
      24,77 $
      4 954,00 $
      500
      23,57 $
      11 785,00 $
      2021 жылдан бастап жартылай өткізгіштің жетіспеушілігіне байланысты 2021 жылға дейінгі қалыпты баға төмен. Растау үшін сұрау жіберіңіз.
      -ден бастаңыз
      Ең жаңа өнімдер
      More Newest Products
      Top