IXFN300N10P

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Шасси бекіткіші

Пакет/қорап:

SOT-227-4

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

295 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

5.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

279 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.07 kW

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

HiPerFET

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

12.22 mm

Ұзындығы:

38.23 mm

Серия:

IXFN300N10

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

Полярлық қуат MOSFET HiPerFET

Ені:

25.42 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

55 S

Күз уақыты:

25 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

35 ns

Зауыттық буманың саны:

10

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

56 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

36 ns

Бірлік салмағы:

1.058219 oz

Tags

IXFN30, IXFN3, IXFN, IXF