W949D2

W949D2DBJX5E TR vs W949D2DBJX5I vs W949D2DBJX5E

 
PartNumberW949D2DBJX5E TRW949D2DBJX5IW949D2DBJX5E
DescriptionDRAM 512M mDDR, x32, 200MHz T&RDRAM 512M mDDR, x32, 200MHz, Industrial Temp, 46nmDRAM 512M mDDR, x32, 200MHz
ManufacturerWinbondWinbondWinbond
Product CategoryDRAMDRAMDRAM
RoHSYYY
TypeSDRAM Mobile - LPDDRSDRAM Mobile - LPDDRSDRAM Mobile - LPDDR
Data Bus Width32 bit32 bit32 bit
Organization16 M x 3216 M x 3216 M x 32
Package / CaseVFBGA-90VFBGA-90VFBGA-90
Memory Size512 Mbit512 Mbit512 Mbit
Maximum Clock Frequency200 MHz200 MHz200 MHz
Supply Voltage Max1.95 V1.95 V1.95 V
Supply Voltage Min1.7 V1.7 V1.7 V
Supply Current Max40 mA40 mA40 mA
Minimum Operating Temperature- 25 C- 40 C- 25 C
Maximum Operating Temperature+ 85 C+ 85 C+ 85 C
SeriesW949D2DBW949D2DBW949D2DB
PackagingReelTrayTray
BrandWinbondWinbondWinbond
Mounting StyleSMD/SMTSMD/SMTSMD/SMT
Moisture SensitiveYesYesYes
Product TypeDRAMDRAMDRAM
Factory Pack Quantity2500240240
SubcategoryMemory & Data StorageMemory & Data StorageMemory & Data Storage
Өндіруші Бөлім № Сипаттама RFQ
Winbond
Winbond
W949D2DBJX5E TR DRAM 512M mDDR, x32, 200MHz T&R
W949D2DBJX5I TR DRAM 512M mDDR, x32, 200MHz, Industrial Temp, 46nm T&R
W949D2DBJX5I DRAM 512M mDDR, x32, 200MHz, Industrial Temp, 46nm
W949D2DBJX5E DRAM 512M mDDR, x32, 200MHz
W949D2DBJX5E TR 512M MDDR, X32, 200MHZ T&R
W949D2DBJX5I TR IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
W949D2BBAX7C Жаңа және түпнұсқа
W949D2BBAX7E Жаңа және түпнұсқа
W949D2CBJX-5E Жаңа және түпнұсқа
W949D2CBJX-6E Жаңа және түпнұсқа
W949D2CBJX5E Жаңа және түпнұсқа
W949D2CBJX6E Жаңа және түпнұсқа
W949D2CBJX6I Жаңа және түпнұсқа
W949D2DBJX5E IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
W949D2DBJX5ET Жаңа және түпнұсқа
W949D2DBJX5I IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
W949D2KBJX5E Жаңа және түпнұсқа
W949D2KBJX5I Жаңа және түпнұсқа
W949D2KBJX6E Жаңа және түпнұсқа
Top