 |  | | |
| PartNumber | TPN11003NL,LQ | TPN11003NL | TPN11003NL LQ |
| Description | MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 19W 510pF 31A 30V | ||
| Manufacturer | Toshiba | - | - |
| Product Category | MOSFET | - | - |
| RoHS | Y | - | - |
| Technology | Si | - | - |
| Mounting Style | SMD/SMT | - | - |
| Package / Case | TSON-Advance-8 | - | - |
| Number of Channels | 1 Channel | - | - |
| Transistor Polarity | N-Channel | - | - |
| Vds Drain Source Breakdown Voltage | 30 V | - | - |
| Id Continuous Drain Current | 31 A | - | - |
| Rds On Drain Source Resistance | 12.6 mOhms | - | - |
| Vgs th Gate Source Threshold Voltage | 2.3 V | - | - |
| Vgs Gate Source Voltage | 20 V | - | - |
| Qg Gate Charge | 7.5 nC | - | - |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | - | - |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | - | - |
| Pd Power Dissipation | 19 W | - | - |
| Configuration | Single | - | - |
| Channel Mode | Enhancement | - | - |
| Packaging | Reel | - | - |
| Height | 0.85 mm | - | - |
| Length | 3.1 mm | - | - |
| Series | TPN11003NL | - | - |
| Transistor Type | 1 N-Channel | - | - |
| Width | 3.1 mm | - | - |
| Brand | Toshiba | - | - |
| Fall Time | 1.9 ns | - | - |
| Product Type | MOSFET | - | - |
| Rise Time | 2.1 ns | - | - |
| Factory Pack Quantity | 3000 | - | - |
| Subcategory | MOSFETs | - | - |
| Typical Turn Off Delay Time | 14 ns | - | - |
| Typical Turn On Delay Time | 7.5 ns | - | - |
| Unit Weight | 0.000705 oz | - | - |
| Өндіруші | Бөлім № | Сипаттама | RFQ |
|---|---|---|---|
Toshiba |
TPN11006NL,LQ | MOSFET U-MOSVIII-H 60V 37A 23nC MOSFET | |
| TPN11003NL,LQ | MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 19W 510pF 31A 30V | ||
| TPN11006PL,LQ | MOSFET X35 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=61W F=1MHZ | ||
| TPN11003NLLQCT-ND | Жаңа және түпнұсқа | ||
| TPN11003NLLQDKR-ND | Жаңа және түпнұсқа | ||
| TPN11003NLLQTR-ND | Жаңа және түпнұсқа | ||
| TPN11006NLLQCT-ND | Жаңа және түпнұсқа | ||
| TPN11006NLLQDKR-ND | Жаңа және түпнұсқа | ||
| TPN11006NLLQTR-ND | Жаңа және түпнұсқа | ||
| TPN11003NL,LQ | Darlington Transistors MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 19W 510pF 31A 30V | ||
| TPN11003NL | Жаңа және түпнұсқа | ||
| TPN11003NL LQ | Жаңа және түпнұсқа | ||
| TPN11003NL,LQ(S | Жаңа және түпнұсқа | ||
| TPN11003NLLQ | MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR | ||
| TPN11003NLLQ(S | Жаңа және түпнұсқа | ||
| TPN11006N | Жаңа және түпнұсқа | ||
| TPN11006NL | Жаңа және түпнұсқа | ||
| TPN11006NL LQ(S | Жаңа және түпнұсқа | ||
| TPN11006NL,LQ | MOSFETs Silicon N-channel MOS | ||
| TPN11006NLLQ | MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR | ||
| TPN11006NLLQ(S | Жаңа және түпнұсқа | ||
| TPN11006PL | Жаңа және түпнұсқа | ||
| TPN11006PL,LQ | MOSFET X35 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=61W F=1MHZ |