TPH1110

TPH1110FNH,L1Q vs TPH1110ENH,L1Q

 
PartNumberTPH1110FNH,L1QTPH1110ENH,L1Q
DescriptionMOSFET X35PBF Power MOSFET Transistr95ohm250VMOSFET UMOSVIII 200V 131m (VGS=10V) SOP-ADV
ManufacturerToshibaToshiba
Product CategoryMOSFETMOSFET
RoHSYY
TechnologySiSi
Mounting StyleSMD/SMTSMD/SMT
Package / CaseSOP-Advance-8SOP-Advance-8
Number of Channels1 Channel1 Channel
Transistor PolarityN-ChannelN-Channel
Vds Drain Source Breakdown Voltage250 V200 V
Id Continuous Drain Current10 A13 A
Rds On Drain Source Resistance95 mOhms96 mOhms
Vgs th Gate Source Threshold Voltage4 V4 V
Vgs Gate Source Voltage20 V20 V
Qg Gate Charge11 nC7 nC
Minimum Operating Temperature- 55 C- 55 C
Maximum Operating Temperature+ 150 C+ 150 C
Pd Power Dissipation1.6 W42 W
ConfigurationSingleTriple
Channel ModeEnhancementEnhancement
PackagingReelReel
Height0.95 mm0.95 mm
Length5 mm5 mm
SeriesTPH1110FNHTPH1110ENH
Transistor Type1 N-Channel1 N-Channel
Width5 mm5 mm
BrandToshibaToshiba
Product TypeMOSFETMOSFET
Factory Pack Quantity50005000
SubcategoryMOSFETsMOSFETs
Unit Weight0.030018 oz0.030018 oz
Fall Time-4.5 ns
Rise Time-5.2 ns
Typical Turn Off Delay Time-19 ns
Typical Turn On Delay Time-14 ns
Өндіруші Бөлім № Сипаттама RFQ
Toshiba
Toshiba
TPH1110FNH,L1Q MOSFET X35PBF Power MOSFET Transistr95ohm250V
TPH1110ENH,L1Q MOSFET UMOSVIII 200V 131m (VGS=10V) SOP-ADV
TPH1110FNH,L1Q MOSFET X35PBF Power MOSFET Transistr95ohm250V
TPH1110ENH,L1Q MOSFET UMOSVIII 200V 131m (VGS=10V) SOP-ADV
TPH1110FNHL1Q MOSFET PWR MOSFET TRANSISTOR
TPH1110ENHL1Q MOSFET PWR MOSFET TRANSISTOR
TPH1110FNH Жаңа және түпнұсқа
TPH1110FNH,L1Q(M Жаңа және түпнұсқа
TPH1110ENH Жаңа және түпнұсқа
TPH1110ENHL1QCT-ND Жаңа және түпнұсқа
TPH1110ENHL1QDKR-ND Жаңа және түпнұсқа
TPH1110ENHL1QTR-ND Жаңа және түпнұсқа
TPH1110FNHL1QCT-ND Жаңа және түпнұсқа
TPH1110FNHL1QDKR-ND Жаңа және түпнұсқа
TPH1110FNHL1QTR-ND Жаңа және түпнұсқа
Top