STT

STT818B vs STT6N3LLH6 vs STT7P2UH7

 
PartNumberSTT818BSTT6N3LLH6STT7P2UH7
DescriptionBipolar Transistors - BJT PNP Lo-Volt Hi-GainMOSFET N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VIMOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6
ManufacturerSTMicroelectronicsSTMicroelectronicsSTMicroelectronics
Product CategoryBipolar Transistors - BJTMOSFETFETs - Single
RoHSYY-
Mounting StyleSMD/SMTSMD/SMTSMD/SMT
Package / CaseSOT-23-6SOT-23-6-
Transistor PolarityPNPN-ChannelP-Channel
ConfigurationSingleSingleSingle
Collector Emitter Voltage VCEO Max- 30 V--
Collector Base Voltage VCBO- 30 V--
Emitter Base Voltage VEBO- 5 V--
Collector Emitter Saturation Voltage- 0.21 V--
Maximum DC Collector Current3 A--
Minimum Operating Temperature- 65 C-- 55 C
Maximum Operating Temperature+ 150 C+ 150 C+ 150 C
SeriesSTT818BSTT6N3LLH6STripFET
Height1.3 mm--
Length3.05 mm--
PackagingReelReelDigi-ReelR Alternate Packaging
Width1.75 mm--
BrandSTMicroelectronicsSTMicroelectronics-
Continuous Collector Current- 3 A--
Pd Power Dissipation1200 mW1.6 W-
Product TypeBJTs - Bipolar TransistorsMOSFET-
Factory Pack Quantity30003000-
SubcategoryTransistorsMOSFETs-
Unit Weight0.000229 oz0.000229 oz0.001270 oz
Technology-SiSi
Number of Channels-1 Channel1 Channel
Vds Drain Source Breakdown Voltage-30 V-
Id Continuous Drain Current-6 A-
Rds On Drain Source Resistance-25 mOhms-
Vgs th Gate Source Threshold Voltage-1 V-
Vgs Gate Source Voltage-10 V-
Qg Gate Charge-3.6 nC-
Channel Mode-Enhancement-
Tradename-STripFET-
Transistor Type-1 N-Channel Power MOSFET1 P-Channel
Fall Time-5.4 ns84.5 ns
Rise Time-11.2 ns30.5 ns
Typical Turn Off Delay Time-9.4 ns128 ns
Typical Turn On Delay Time-4.8 ns12.5 ns
Package Case--SOT-23-6
Operating Temperature--150°C (TJ)
Mounting Type--Surface Mount
Supplier Device Package--SOT-23-6
FET Type--MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Power Max--1.6W
Drain to Source Voltage Vdss--20V
Input Capacitance Ciss Vds--2390pF @ 16V
FET Feature--Standard
Current Continuous Drain Id 25°C--7A (Tc)
Rds On Max Id Vgs--22.5 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs th Max Id--1V @ 250μA
Gate Charge Qg Vgs--22nC @ 4.5V
Pd Power Dissipation--1.6 W
Vgs Gate Source Voltage--8 V
Id Continuous Drain Current--7 A
Vds Drain Source Breakdown Voltage--20 V
Vgs th Gate Source Threshold Voltage--1 V
Rds On Drain Source Resistance--22.5 mOhms
Qg Gate Charge--22 nC
  • -ден бастаңыз
  • STT 1266
Өндіруші Бөлім № Сипаттама RFQ
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STT818B Bipolar Transistors - BJT PNP Lo-Volt Hi-Gain
STT6N3LLH6 MOSFET N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VI
STT818B Bipolar Transistors - BJT PNP Lo-Volt Hi-Gain
STT6N3LLH6 MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6
STT7P2UH7 MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6
Infineon Technologies
Infineon Technologies
STT800N16P55XPSA1 Discrete Semiconductor Modules THYR / DIODE MODULE DK
STT800N16P55XPSA1 SCR MODULE POWERBLOCK PS55-1
STT6003TV1 Жаңа және түпнұсқа
STT60GK08 Жаңа және түпнұсқа
STT60GK08B Жаңа және түпнұсқа
STT60GK12 Жаңа және түпнұсқа
STT60GK14 Жаңа және түпнұсқа
STT60GK16 Жаңа және түпнұсқа
STT60GK16B Жаңа және түпнұсқа
STT60GK16BV Жаңа және түпнұсқа
STT60GK18 Жаңа және түпнұсқа
STT622S Жаңа және түпнұсқа
STT6301K Жаңа және түпнұсқа
STT6405 Жаңа және түпнұсқа
STT6601 Жаңа және түпнұсқа
STT6603 Жаңа және түпнұсқа
STT6P2UH7 Жаңа және түпнұсқа
STT70GK12 Жаңа және түпнұсқа
STT70GK14 Жаңа және түпнұсқа
STT70GK16 Жаңа және түпнұсқа
STT70GK16B Жаңа және түпнұсқа
STT70GK18B Жаңа және түпнұсқа
STT7105BKUC Жаңа және түпнұсқа
STT74LS126AB1 Жаңа және түпнұсқа
STT74S02B1 Жаңа және түпнұсқа
STT75DS2F Жаңа және түпнұсқа
STT774DB1 Жаңа және түпнұсқа
STT800GK08 Жаңа және түпнұсқа
STT800GK14 Жаңа және түпнұсқа
STT818A Жаңа және түпнұсқа
STT818A/818A Жаңа және түпнұсқа
STT818A/EBT818BA Жаңа және түпнұсқа
STT818B(818B) Жаңа және түпнұсқа
STT818R Жаңа және түпнұсқа
STT818R-ST Жаңа және түпнұсқа
STT8205 Жаңа және түпнұсқа
STT8205S Жаңа және түпнұсқа
STT840-600202-001-R5 Жаңа және түпнұсқа
STT866-1 Жаңа және түпнұсқа
STT8844 Жаңа және түпнұсқа
STT884D Жаңа және түпнұсқа
STT8856 Жаңа және түпнұсқа
STT886-1 Жаңа және түпнұсқа
STT886-6 Жаңа және түпнұсқа
STT8861 Жаңа және түпнұсқа
Top