STH

STH130N10F3-2 vs STH130N8F7-2 vs STH13009

 
PartNumberSTH130N10F3-2STH130N8F7-2STH13009
DescriptionMOSFET N-Ch 100V 7.8 mOhm 120 A STripFETMOSFET N-channel 80 V, 4.2 mOhm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 packageBipolar Transistors - BJT HI VT FS SWCH PW TRN NPN
ManufacturerSTMicroelectronicsSTMicroelectronicsSTMicroelectronics
Product CategoryMOSFETMOSFETBipolar Transistors - BJT
RoHSYYY
TechnologySiSi-
Mounting StyleSMD/SMTSMD/SMTThrough Hole
Package / CaseH2PAK-2H2PAK-2TO-220-3
Transistor PolarityN-ChannelN-ChannelNPN
Vds Drain Source Breakdown Voltage100 V80 V-
Id Continuous Drain Current78 A110 A-
Rds On Drain Source Resistance9.3 mOhms4.2 mOhms-
Pd Power Dissipation250 W205 W100000 mW
TradenameSTripFETSTripFET-
PackagingReel-Tube
SeriesSTH130N10F3-2STH130N8F7-2STH13009
BrandSTMicroelectronicsSTMicroelectronicsSTMicroelectronics
Product TypeMOSFETMOSFETBJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity1000100050
SubcategoryMOSFETsMOSFETsTransistors
Unit Weight0.139332 oz-0.081130 oz
Number of Channels-1 Channel-
Vgs th Gate Source Threshold Voltage-2.5 V-
Vgs Gate Source Voltage-20 V-
Qg Gate Charge-60 nC-
Minimum Operating Temperature-- 55 C- 65 C
Maximum Operating Temperature-+ 175 C+ 150 C
Configuration-SingleSingle
Channel Mode-Enhancement-
Transistor Type-1 N-Channel-
Fall Time-120 ns-
Rise Time-210 ns-
Typical Turn Off Delay Time-190 ns-
Typical Turn On Delay Time-140 ns-
Collector Emitter Voltage VCEO Max--400 V
Emitter Base Voltage VEBO--12 V
Maximum DC Collector Current--12 A
DC Current Gain hFE Max--18
Height--9.15 mm
Length--10.4 mm
Width--4.6 mm
DC Collector/Base Gain hfe Min--18 at 5 A, 5 V, 11 at 8 A, 5 V
  • -ден бастаңыз
  • STH 392
Өндіруші Бөлім № Сипаттама RFQ
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STH150N10F7-2 MOSFET N-channel 100 V, 0.0038 Ohm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
STH140N8F7-2 MOSFET N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET
STH130N10F3-2 MOSFET N-Ch 100V 7.8 mOhm 120 A STripFET
STH145N8F7-2AG MOSFET Automotive-grade N-channel 80 V, 3.3 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
STH140N6F7-6 MOSFET N-channel 60 V, 0.0028 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-6 package
STH130N8F7-2 MOSFET N-channel 80 V, 4.2 mOhm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 package
STH140N6F7-2 MOSFET N-channel 60 V, 0.0028 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
STH13009 Bipolar Transistors - BJT HI VT FS SWCH PW TRN NPN
STH130N8F7-2 MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2
STH140N6F7-2 MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
STH13009 TRANS NPN 400V 12A TO-220
STH130N10F3-2 MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2
STH140N6F7-6 N-CHANNEL 60 V, 0.0028 OHM TYP.,
STH140N8F7-2 MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
STH145N8F7-2AG MOSFET N-CH 80V 90A
STH150N10F7-2 MOSFET N-CH 100V 90A H2PAK-2
STH15NB50FI MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218
STH160N4LF6-2 MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
STH12N60FI Жаңа және түпнұсқа
STH13NB60F1 Жаңа және түпнұсқа
STH13NB60FI Жаңа және түпнұсқа
STH15NA50 Power Field-Effect Transistor, 14.6A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218
STH15NA50FI Жаңа және түпнұсқа
STH165N10F4 Жаңа және түпнұсқа
STH165N10F4-2 Жаңа және түпнұсқа
STH16NA40FI Жаңа және түпнұсқа
STH17 Жаңа және түпнұсқа
STH12NA60 Жаңа және түпнұсқа
STH12NA60FI Жаңа және түпнұсқа
STH12R06FP Жаңа және түпнұсқа
STH135011.1.2N Жаңа және түпнұсқа
STH135014.1.2N Жаңа және түпнұсқа
STH14003 Жаңа және түпнұсқа
STH143004.1 Жаңа және түпнұсқа
STH145001.4 Жаңа және түпнұсқа
STH14808-02 Жаңа және түпнұсқа
STH14808-2 Жаңа және түпнұсқа
STH148FA-TR Жаңа және түпнұсқа
STH14N50 Жаңа және түпнұсқа
STH15810 Жаңа және түпнұсқа
STH15810(1312)-2 Жаңа және түпнұсқа
STH15810-2 Жаңа және түпнұсқа
STH158102 Жаңа және түпнұсқа
STH15N50FI Жаңа және түпнұсқа
STH15NB50F1 Жаңа және түпнұсқа
STH15NB50FI,15NB50FI Жаңа және түпнұсқа
STH15NB50FI,H15NB50FI Жаңа және түпнұсқа
STH15NB50FI,H15NB50FI, Жаңа және түпнұсқа
STH1602CFP Жаңа және түпнұсқа
STH1608-2N2ST Жаңа және түпнұсқа
Top