SQ2

SQ2308CES-T1_GE3 vs SQ2303ES-T1_GE3 vs SQ2308CES-T1-GE3

 
PartNumberSQ2308CES-T1_GE3SQ2303ES-T1_GE3SQ2308CES-T1-GE3
DescriptionMOSFET 60V 2.3A 2watt AEC-Q101 QualifiedMOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 QualifiedMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ2308CES-T1_GE3
ManufacturerVishayVishayVishay
Product CategoryMOSFETMOSFETMOSFET
RoHSYYY
TechnologySiSiSi
Mounting StyleSMD/SMTSMD/SMT-
Package / CaseSOT-23-3SOT-23-3-
Number of Channels1 Channel1 Channel-
Transistor PolarityN-ChannelP-Channel-
Vds Drain Source Breakdown Voltage60 V30 V-
Id Continuous Drain Current2.3 A2.5 A-
Rds On Drain Source Resistance150 mOhms170 mOhms-
Vgs th Gate Source Threshold Voltage1.5 V1.5 V-
Vgs Gate Source Voltage10 V10 V-
Qg Gate Charge5.3 nC4.5 nC-
Minimum Operating Temperature- 55 C- 55 C-
Maximum Operating Temperature+ 175 C+ 175 C-
Pd Power Dissipation2 W1.9 W-
ConfigurationSingleSingle-
Channel ModeEnhancementEnhancement-
QualificationAEC-Q101AEC-Q101AEC-Q101
TradenameTrenchFETTrenchFETTrenchFET
PackagingReelReelReel
SeriesSQSQSQ
Transistor Type1 N-Channel1 P-Channel-
BrandVishay / SiliconixVishay / SiliconixVishay / Siliconix
Forward Transconductance Min5.5 S4 S-
Fall Time12 ns8 ns-
Product TypeMOSFETMOSFETMOSFET
Rise Time9 ns8 ns-
Factory Pack Quantity300030003000
SubcategoryMOSFETsMOSFETsMOSFETs
Typical Turn Off Delay Time12 ns12 ns-
Typical Turn On Delay Time4 ns5 ns-
Unit Weight0.000282 oz0.000282 oz0.000282 oz
Part # Aliases--SQ2308ES-T1-GE3
  • -ден бастаңыз
  • SQ2 218
Өндіруші Бөлім № Сипаттама RFQ
Vishay / Siliconix
Vishay / Siliconix
SQ2308CES-T1_GE3 MOSFET 60V 2.3A 2watt AEC-Q101 Qualified
SQ2303ES-T1_GE3 MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
SQ2309ES-T1-GE3 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQ2309ES-T1_GE3
SQ2308CES-T1-GE3 MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ2308CES-T1_GE3
Vishay
Vishay
SQ2303ES-T1_GE3 MOSFET P-CHAN 30V SOT23
SQ2301ES-T1_GE3 MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
SQ2308CES-T1_GE3 MOSFET N-CH 60V 2.3A
SQ2308CES-T1_GE3-CUT TAPE Жаңа және түпнұсқа
SQ2000800DIDNC Жаңа және түпнұсқа
SQ2003DW Жаңа және түпнұсқа
SQ2003J/883 Жаңа және түпнұсқа
SQ201 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2-ELEMENT, ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, SILICON, N-CHANNEL, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET
SQ2019H2 Жаңа және түпнұсқа
SQ201AJ Жаңа және түпнұсқа
SQ202 Жаңа және түпнұсқа
SQ203AJ Жаңа және түпнұсқа
SQ212 Жаңа және түпнұсқа
SQ2200 Жаңа және түпнұсқа
SQ2200 3.579545M Жаңа және түпнұсқа
SQ2200-.25MHZ Жаңа және түпнұсқа
SQ2200-42.000M Жаңа және түпнұсқа
SQ2200-5.000M Жаңа және түпнұсқа
SQ22001600M Жаңа және түпнұсқа
SQ2200E-1.000M Жаңа және түпнұсқа
SQ221 Жаңа және түпнұсқа
SQ224532.768MHZ Жаңа және түпнұсқа
SQ2245E-11.520 MHZ Жаңа және түпнұсқа
SQ2245ES-1.8432M Жаңа және түпнұсқа
SQ2245SV-10.0M Жаңа және түпнұсқа
SQ23-010 Жаңа және түпнұсқа
SQ230 Жаңа және түпнұсқа
SQ2301ES Жаңа және түпнұсқа
SQ2301ES-T1-E3 Жаңа және түпнұсқа
SQ2301ES-T1-GE3 P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSF
SQ2303ES Жаңа және түпнұсқа
SQ2303ES-T1-GE3 P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSF
SQ2306 Жаңа және түпнұсқа
SQ2308 Жаңа және түпнұсқа
SQ2308BES Жаңа және түпнұсқа
SQ2308BES-T1-E3 Жаңа және түпнұсқа
SQ2308BES-T1-GE3 Жаңа және түпнұсқа
SQ2308CES Жаңа және түпнұсқа
SQ2308CES-T1-GE3 Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
SQ2308E Жаңа және түпнұсқа
SQ2308ES Жаңа және түпнұсқа
SQ2308ES-T1-GE3 Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: SQ2308ES-T1-GE3)
SQ2308ES-TI-GE3 Жаңа және түпнұсқа
SQ2308EST1GE3 Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 60V, 0.155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
SQ2309ES-T1-E3 Жаңа және түпнұсқа
SQ2309ES-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Top