 | |  | |
| PartNumber | SPD18P06P G | SPD15P10PLGBTMA1 | SPD18P06P |
| Description | MOSFET P-Ch -60V -18.6A DPAK-2 | MOSFET P-Ch -100V 15A DPAK-2 | MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252 |
| Manufacturer | Infineon | Infineon | - |
| Product Category | MOSFET | MOSFET | - |
| RoHS | Y | Y | - |
| Technology | Si | Si | - |
| Mounting Style | SMD/SMT | SMD/SMT | - |
| Package / Case | PG-TO-252-3 | PG-TO-252-3 | - |
| Number of Channels | 1 Channel | 1 Channel | - |
| Transistor Polarity | P-Channel | P-Channel | - |
| Vds Drain Source Breakdown Voltage | 60 V | 100 V | - |
| Id Continuous Drain Current | 18.6 A | 15 A | - |
| Rds On Drain Source Resistance | 130 mOhms | 200 mOhms | - |
| Vgs th Gate Source Threshold Voltage | 4 V | 2 V | - |
| Vgs Gate Source Voltage | 10 V | 10 V | - |
| Qg Gate Charge | 22 nC | 47 nC | - |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | - 55 C | - |
| Maximum Operating Temperature | + 175 C | + 175 C | - |
| Pd Power Dissipation | 80 W | 128 W | - |
| Configuration | Single | Single | - |
| Channel Mode | Enhancement | Enhancement | - |
| Tradename | SIPMOS | - | - |
| Packaging | Reel | Reel | - |
| Height | 2.3 mm | 2.3 mm | - |
| Length | 6.5 mm | 6.5 mm | - |
| Series | SPD18P06 | XPD15P10 | - |
| Transistor Type | 1 P-Channel | 1 P-Channel | - |
| Width | 6.22 mm | 6.22 mm | - |
| Brand | Infineon Technologies | Infineon Technologies | - |
| Forward Transconductance Min | 4 S | 5.5 S | - |
| Fall Time | 11 ns | 29 ns | - |
| Product Type | MOSFET | MOSFET | - |
| Rise Time | 5.8 ns | 21 ns | - |
| Factory Pack Quantity | 2500 | 2500 | - |
| Subcategory | MOSFETs | MOSFETs | - |
| Typical Turn Off Delay Time | 24.5 ns | 50 ns | - |
| Typical Turn On Delay Time | 12 ns | 7.6 ns | - |
| Part # Aliases | SP000443926 SPD18P06PGBTMA1 SPD18P6PGXT | G SP000317393 SPD15P10PL SPD15P1PLGXT | - |
| Unit Weight | 0.139332 oz | 0.139332 oz | - |
| Өндіруші | Бөлім № | Сипаттама | RFQ |
|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
SPD18P06P G | MOSFET P-Ch -60V -18.6A DPAK-2 | |
| SPD18P06PGBTMA1 | MOSFET P-Ch -60V -18.6A DPAK-2 | ||
| SPD15P10PLGBTMA1 | MOSFET P-Ch -100V 15A DPAK-2 | ||
| SPD15P10PLGBTMA1 | MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3 | ||
| SPD18P06P | MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252 | ||
| SPD18P06P G | MOSFET P-Ch -60V -18.6A DPAK-2 | ||
| SPD18P06PGBTMA1 | MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3 | ||
| SPD22N08S2L-50 | MOSFET N-CH 75V 25A DPAK | ||
| SPD25N06S2-40 | MOSFET N-CH 55V 29A DPAK | ||
| SPD26N06S2L-35 | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK | ||
| SPD15P10PLG | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD1651Z | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD17-0T | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD18P06 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD20-48S9 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD200AATO05 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD2016FT101M | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD20N60S5 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD20NF20 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD20S30 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD21N05L | 20 A, 55 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | ||
| SPD21N08S2L-50 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD221R-TF | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD2226D | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD2226Z | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD2226ZSB | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD22NS25 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD23N05 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD24240 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD24B1 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD25N60S2-40 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD2636A-002A | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD26N06S2L35 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD2826-211 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD2828-211 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD2870 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD28N03L | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD2900GS | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD2900GSRB | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD2N06 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD2N60C3 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD2N60L13 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD3-5-1515 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD300ABTO5 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD301 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD18P06PG | Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SP000443926) | ||
| SPD242401 | AC/DC CONVERTER 24V 240W | ||
| SPD21N05 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD28N03 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| SPD28N05L | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 55V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |