RN11

RN1106MFV,L3F vs RN1107(T5L,F,T) vs RN1106MFV(TPL3)

 
PartNumberRN1106MFV,L3FRN1107(T5L,F,T)RN1106MFV(TPL3)
DescriptionBipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEOBipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEOBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms
ManufacturerToshibaToshibaToshiba
Product CategoryBipolar Transistors - Pre-BiasedBipolar Transistors - Pre-BiasedBipolar Transistors - Pre-Biased
RoHSYYN
ConfigurationSingleSingleSingle
Transistor PolarityNPNNPNNPN
Typical Input Resistor4.7 kOhms10 kOhms4.7 kOhms
Typical Resistor Ratio0.10.2130.1
Mounting StyleSMD/SMTSMD/SMTSMD/SMT
Package / CaseSOT-723-3SOT-416-3-
DC Collector/Base Gain hfe Min808080
Maximum Operating Frequency---
Collector Emitter Voltage VCEO Max50 V50 V50 V
Continuous Collector Current100 mA100 mA100 mA
Peak DC Collector Current--100 mA
Pd Power Dissipation150 mW100 mW150 mW
Minimum Operating Temperature- 55 C--
Maximum Operating Temperature+ 150 C-+ 150 C
SeriesRN1106MFVRN1107RN1106MFV
Emitter Base Voltage VEBO5 V6 V-
BrandToshibaToshibaToshiba
Channel ModeEnhancement--
Maximum DC Collector Current100 mA100 mA-
Product TypeBJTs - Bipolar Transistors - Pre-BiasedBJTs - Bipolar Transistors - Pre-BiasedBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Factory Pack Quantity800030008000
SubcategoryTransistorsTransistorsTransistors
Packaging-ReelReel
Unit Weight-0.000212 oz-
DC Current Gain hFE Max--80
  • -ден бастаңыз
  • RN11 535
  • RN1 1899
Өндіруші Бөлім № Сипаттама RFQ
Toshiba
Toshiba
RN1107,LF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
RN1106MFV,L3F Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
RN1107(T5L,F,T) Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
RN1107MFV(TPL3) Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 10K x 47Kohms
RN1106MFV(TPL3) Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms
RN1107MFV(TPL3) Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 10K x 47Kohms
RN1107,LF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transisto
RN1107(T5L,F,T) Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
RN1108(T5L,F,T) Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
RN1106MFV(TL3,T) Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
RN1106MFV(TPL3) Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms
RN1107CT Жаңа және түпнұсқа
RN1107LF Жаңа және түпнұсқа
RN1106MFVL3XGF Жаңа және түпнұсқа
RN1106LF(CTTR-ND Жаңа және түпнұсқа
RN1106MFV(TL3T)CT-ND Жаңа және түпнұсқа
RN1106MFV(TL3T)DKR-ND Жаңа және түпнұсқа
RN1106MFV(TL3T)TR-ND Жаңа және түпнұсқа
RN1106MFVL3FCT-ND Жаңа және түпнұсқа
RN1106MFVL3FDKR-ND Жаңа және түпнұсқа
RN1106MFVL3FTR-ND Жаңа және түпнұсқа
RN1107ACT(TPL3)CT-ND Жаңа және түпнұсқа
RN1107ACT(TPL3)DKR-ND Жаңа және түпнұсқа
RN1107ACT(TPL3)TR-ND Жаңа және түпнұсқа
RN1107CT(TPL3)CT-ND Жаңа және түпнұсқа
RN1107CT(TPL3)DKR-ND Жаңа және түпнұсқа
RN1107CT(TPL3)TR-ND Жаңа және түпнұсқа
RN1107LF(CTCT-ND Жаңа және түпнұсқа
RN1107LF(CTDKR-ND Жаңа және түпнұсқа
RN1107LF(CTTR-ND Жаңа және түпнұсқа
RN1108(T5LFT)CT-ND Жаңа және түпнұсқа
RN1108(T5LFT)DKR-ND Жаңа және түпнұсқа
RN1107LF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased SMALL SIGNAL TRAN 100MW /1MHZ
RN1108(F) TRANSISTOR DIGITAL NPN RN1108(F), PK
RN1107(TE85L) Жаңа және түпнұсқа
RN1107(TE85L,F) Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SSM T/R
RN1106MFV Жаңа және түпнұсқа
RN1106MFV(TL3T) Жаңа және түпнұсқа
RN1106MFV,L3F(T Жаңа және түпнұсқа
RN1107 Жаңа және түпнұсқа
RN1107 TE85L.F Жаңа және түпнұсқа
RN1107ACT Жаңа және түпнұсқа
RN1107FS Жаңа және түпнұсқа
RN1107FT Жаңа және түпнұсқа
RN1107FV Жаңа және түпнұсқа
RN1107MF Жаңа және түпнұсқа
RN1107MFV Жаңа және түпнұсқа
RN1107MFV TPL3 Жаңа және түпнұсқа
RN1107MFV(TL3PAV) Жаңа және түпнұсқа
RN1108 Жаңа және түпнұсқа
Top