 | | | |
| PartNumber | MTB25N03KN3 | MTB25N04J3 | MTB25P04J3 |
| Description |
| Өндіруші | Бөлім № | Сипаттама | RFQ |
|---|---|---|---|
| MTB25N03KN3 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MTB25N04J3 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MTB25P04J3 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MTB25P04V8 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MTB2955V | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MTB29N15E | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MTB29N15E/D | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MTB29N15ET4G | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MTB2D5N03ATH8 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MTB2D5N03BH8 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MTB2N40E | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MTB2N60E | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MTB2P50E T2P50E | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MTB2P50E/D | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MTB2P50EG | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MTB2P50EG /P50EG | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MTB2P50ET4 | MOSFET Transistor, P-Channel, TO-263AB | ||
| MTB2P50ET4G | P CHANNEL MOSFET, -500V, 2A, D2-PAK, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:2A, Drain Source Voltage Vds:-500V, On Resistance Rds(on):6ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Thre | ||
| MTB29N15ET4 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 150V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||
| MTB2P50 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MTB2P50E | Жаңа және түпнұсқа |
