 |  |  | |
| PartNumber | MS1001 | MS1000 | MS1008 |
| Description | RF Bipolar Transistors RF Transistor | RF Bipolar Transistors RF Transistor | RF Bipolar Transistors RF Transistor |
| Manufacturer | Advanced Semiconductor, Inc. | Advanced Semiconductor, Inc. | Advanced Semiconductor, Inc. |
| Product Category | RF Bipolar Transistors | RF Bipolar Transistors | RF Bipolar Transistors |
| RoHS | Y | Y | Y |
| Transistor Type | Bipolar Power | Bipolar Power | Bipolar Power |
| Technology | Si | Si | Si |
| Transistor Polarity | NPN | NPN | NPN |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 20 | 10 | 15 |
| Collector Emitter Voltage VCEO Max | 18 V | 36 V | 55 V |
| Emitter Base Voltage VEBO | 4 V | 4 V | 4 V |
| Continuous Collector Current | 20 A | 20 A | 10 A |
| Minimum Operating Temperature | - 65 C | - 65 C | - 65 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | + 150 C | + 150 C |
| Configuration | Single | Single | Single |
| Mounting Style | Screw Mount | Screw Mount | Through Hole |
| Package / Case | M174 | M174 | M164 |
| Packaging | Tray | Tray | Tray |
| Operating Frequency | 30 MHz | 30 MHz | 30 MHz |
| Type | RF Bipolar Power | RF Bipolar Power | RF Bipolar Power |
| Brand | Advanced Semiconductor, Inc. | Advanced Semiconductor, Inc. | Advanced Semiconductor, Inc. |
| Pd Power Dissipation | 270 W | 270 W | 233 W |
| Product Type | RF Bipolar Transistors | RF Bipolar Transistors | RF Bipolar Transistors |
| Subcategory | Transistors | Transistors | Transistors |
| Өндіруші | Бөлім № | Сипаттама | RFQ |
|---|---|---|---|
Advanced Semiconductor, Inc. |
MS1001 | RF Bipolar Transistors RF Transistor | |
| MS1000 | RF Bipolar Transistors RF Transistor | ||
| MS1008 | RF Bipolar Transistors RF Transistor | ||
| MS1008MP | RF Bipolar Transistors TRANSISTOR | ||
Shindengen |
MS1004SH-5072 | AC/DC Converters Quasi-Resonant Power Supply IC | |
| MS1003SH-5072 | AC/DC Converters Quasi-Resonant Power Supply IC | ||
Microchip / Microsemi |
MS1004 | RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor | |
| MS1003 | RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor | ||
| MS1006 | RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135 | ||
| MS1003 | RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transisto | ||
| MS1004 | RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transisto | ||
| MS1001 | RF Bipolar Transistors RF Transisto | ||
| MS1008 | RF Bipolar Transistors RF Transisto | ||
| MS1007 | RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transisto | ||
MEDER electronic (Standex) |
MS10-S | Sensor Hardware & Accessories Magnet Floating MS10-S Stainless Steel Float H26.3mm Wt 9.9-11.5 gram | |
| MS1004SH-5072 | AC/DC Converters Quasi-Resonant Power Supply IC | ||
| MS10-05-AT | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MS10-05-H1.3 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MS10-1KAT | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MS10-40 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MS10-40 , CZTA44TR | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MS10-40-G | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MS10-40AT | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MS10-60 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MS10-D9P6-B1 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MS10-S | MAGNET FLOATING MS10-S | ||
| MS1000027541-0000000 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MS1001MFES | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MS1002 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MS1002-1LW | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MS1002-1M | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MS1003SH | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MS1004-150M | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MS1004L | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MS1004SH | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MS1005-1N0J-LF | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MS1005-2N2J-LF | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MS1005-47NG-LF | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MS1005G | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MS1005SK | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MS10076M | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MS1009 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| MS100 100MM CARRIER STRIP | CARRIER, 100MM, PK100 | ||
| MS1000BS | Moisture Separator, High Effic. Cyclonic, 1000 CFM, 6-in, Metal, SPDT Switch | ||
| MS1000B/ 038916 | D - Accessories | ||
| MS1000B2S/ 080019 | D - Accessories | ||
| MS100/MS100 | TWIN 100A PMP REPLACEMENT SWITCHE-ACB | ||
| MS1000 | RF Bipolar Transistors RF Transisto | ||
| MS1008MP | RF Bipolar Transistors TRANSISTOR | ||
Altech |
MS10 | Starter, 10 A, 600 VAC, Solid State, 3.37 in., 3.15 in., 1.8 nm, 5 HP @ 480 V |