IRGIB10B60KD

IRGIB10B60KD1P vs IRGIB10B60KD vs IRGIB10B60KD1

 
PartNumberIRGIB10B60KD1PIRGIB10B60KDIRGIB10B60KD1
DescriptionIGBT Transistors 600V Low-Vceon
ManufacturerInfineonIRIR
Product CategoryIGBT TransistorsIGBTs - SingleIGBTs - Single
RoHSY--
TechnologySi--
Package / CaseTO-220FP-3--
Mounting StyleThrough Hole--
ConfigurationSingle--
Collector Emitter Voltage VCEO Max600 V--
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V--
Maximum Gate Emitter Voltage20 V--
Continuous Collector Current at 25 C16 A--
Pd Power Dissipation44 W--
Minimum Operating Temperature- 55 C--
PackagingTube--
Height9.02 mm--
Length10.67 mm--
Width4.83 mm--
BrandInfineon / IR--
Product TypeIGBT Transistors--
Factory Pack Quantity2000--
SubcategoryIGBTs--
Part # AliasesSP001549794--
Unit Weight0.081130 oz--
Өндіруші Бөлім № Сипаттама RFQ
Infineon / IR
Infineon / IR
IRGIB10B60KD1P IGBT Transistors 600V Low-Vceon
Infineon Technologies
Infineon Technologies
IRGIB10B60KD1P IGBT Transistors 600V Low-Vceon
IRGIB10B60KD Жаңа және түпнұсқа
IRGIB10B60KD1 Жаңа және түпнұсқа
IRGIB10B60KD1PBF Жаңа және түпнұсқа
IRGIB10B60KD1PBF. Жаңа және түпнұсқа
IRGIB10B60KD1 GIB10B60K Жаңа және түпнұсқа
IRGIB10B60KD1,GIB10B60KD Жаңа және түпнұсқа
IRGIB10B60KD1P. Жаңа және түпнұсқа
Top