OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 Арба

IRF541

IRF541 vs IRF5410 vs IRF5410PBF

 
PartNumberIRF541IRF5410IRF5410PBF
DescriptionPower Field-Effect Transistor, 28A I(D), 80V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
ManufacturerSAMSUNG--
Product CategoryIC Chips--
Өндіруші Бөлім № Сипаттама RFQ
IRF541 Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 80V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IRF5410 Жаңа және түпнұсқа
IRF5410PBF Жаңа және түпнұсқа
IRF5410S Жаңа және түпнұсқа
IRF5410TPPB Жаңа және түпнұсқа
IRF5411 Жаңа және түпнұсқа
IRF541A Жаңа және түпнұсқа
IRF541FI Жаңа және түпнұсқа
IRF541NS Жаңа және түпнұсқа
IRF541P Жаңа және түпнұсқа
IRF541R Жаңа және түпнұсқа
Top