 |  | | |
| PartNumber | IRF5210STRLPBF | IRF5210STRR | IRF5210SPBF |
| Description | MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC | MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK | MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK |
| Manufacturer | Infineon | - | IR |
| Product Category | MOSFET | - | FETs - Single |
| RoHS | Y | - | - |
| Technology | Si | - | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | - | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 | - | - |
| Number of Channels | 1 Channel | - | 1 Channel |
| Transistor Polarity | P-Channel | - | P-Channel |
| Vds Drain Source Breakdown Voltage | 100 V | - | - |
| Id Continuous Drain Current | 40 A | - | - |
| Rds On Drain Source Resistance | 60 mOhms | - | - |
| Vgs Gate Source Voltage | 20 V | - | - |
| Qg Gate Charge | 120 nC | - | - |
| Pd Power Dissipation | 3.8 W | - | - |
| Configuration | Single | - | Single |
| Packaging | Reel | - | Tube |
| Height | 2.3 mm | - | - |
| Length | 6.5 mm | - | - |
| Transistor Type | 1 P-Channel | - | 1 P-Channel |
| Width | 6.22 mm | - | - |
| Brand | Infineon Technologies | - | - |
| Product Type | MOSFET | - | - |
| Factory Pack Quantity | 800 | - | - |
| Subcategory | MOSFETs | - | - |
| Part # Aliases | SP001554020 | - | - |
| Unit Weight | 0.139332 oz | - | 0.139332 oz |
| Package Case | - | - | TO-252-3 |
| Pd Power Dissipation | - | - | 3.8 W |
| Maximum Operating Temperature | - | - | + 150 C |
| Minimum Operating Temperature | - | - | - 55 C |
| Fall Time | - | - | 55 ns |
| Rise Time | - | - | 63 ns |
| Vgs Gate Source Voltage | - | - | 20 V |
| Id Continuous Drain Current | - | - | - 40 A |
| Vds Drain Source Breakdown Voltage | - | - | - 100 V |
| Rds On Drain Source Resistance | - | - | 60 mOhms |
| Typical Turn Off Delay Time | - | - | 72 ns |
| Typical Turn On Delay Time | - | - | 14 ns |
| Qg Gate Charge | - | - | 120 nC |
| Channel Mode | - | - | Enhancement |
| Өндіруші | Бөлім № | Сипаттама | RFQ |
|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
IRF5210STRLPBF | MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC | |
| IRF5210STRRPBF | MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC | ||
| IRF5210STRR | MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK | ||
| IRF5210SPBF | MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK | ||
| IRF5210STRLPBF | MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK | ||
| IRF5210STRRPBF | Darlington Transistors MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC | ||
| IRF5210STRLPBF-CUT TAPE | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IRF5210STRRPBF-CUT TAPE | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IRF5210S IRF5210STRPBF F | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IRF5210STRLPBF,F5210S,IR | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IRF5210STRLPBF,IRF5210SP | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IRF5210STRLPBFTR | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IRF5210STRPBF. | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IRF521R | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IRF5226 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IRF522A | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IRF522NS | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IRF522PBF | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IRF523P | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IRF52N15DPBF | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IRF5210STR | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IRF5210STRL | Trans MOSFET P-CH Si 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | ||
| IRF5210STRLP | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IRF5210STRPBF | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IRF522 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IRF523 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 80V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |