 | |  | |
| PartNumber | IPP083N10N5AKSA1 | IPP080N03L G | IPP080N06N G |
| Description | MOSFET N-Ch 100V 73A TO220-3 | MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 |
| Manufacturer | Infineon | Infineon | - |
| Product Category | MOSFET | MOSFET | - |
| RoHS | Y | Y | - |
| Technology | Si | Si | - |
| Mounting Style | Through Hole | Through Hole | - |
| Package / Case | PG-TO-220-3 | TO-220-3 | - |
| Number of Channels | 1 Channel | 1 Channel | - |
| Transistor Polarity | N-Channel | N-Channel | - |
| Vds Drain Source Breakdown Voltage | 100 V | 30 V | - |
| Id Continuous Drain Current | 73 A | 50 A | - |
| Rds On Drain Source Resistance | 8.3 mOhms | 8 mOhms | - |
| Vgs th Gate Source Threshold Voltage | 2.2 V | - | - |
| Vgs Gate Source Voltage | 10 V | 20 V | - |
| Qg Gate Charge | 30 nC | - | - |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | - 55 C | - |
| Maximum Operating Temperature | + 175 C | + 175 C | - |
| Pd Power Dissipation | 100 W | 47 W | - |
| Configuration | Single | Single | - |
| Channel Mode | Enhancement | Enhancement | - |
| Tradename | OptiMOS | OptiMOS | - |
| Packaging | Tube | Tube | - |
| Height | 15.65 mm | 15.65 mm | - |
| Length | 10 mm | 10 mm | - |
| Series | OptiMOS 5 | - | - |
| Transistor Type | 1 N-Channel | 1 N-Channel | - |
| Width | 4.4 mm | 4.4 mm | - |
| Brand | Infineon Technologies | Infineon Technologies | - |
| Forward Transconductance Min | 48 S | - | - |
| Fall Time | 5 ns | 2.8 ns | - |
| Product Type | MOSFET | MOSFET | - |
| Rise Time | 5 ns | 3.6 ns | - |
| Factory Pack Quantity | 500 | 500 | - |
| Subcategory | MOSFETs | MOSFETs | - |
| Typical Turn Off Delay Time | 21 ns | 18 ns | - |
| Typical Turn On Delay Time | 13 ns | 4.6 ns | - |
| Part # Aliases | IPP083N10N5 SP001226036 | IPP080N03LGHKSA1 SP000264166 | - |
| Unit Weight | 0.211644 oz | 0.211644 oz | - |
| Өндіруші | Бөлім № | Сипаттама | RFQ |
|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
IPP083N10N5AKSA1 | MOSFET N-Ch 100V 73A TO220-3 | |
| IPP084N06L3 G | MOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3 | ||
| IPP086N10N3 G | MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | ||
| IPP083N10N5AKSA1 | MOSFET N-CH TO220-3 | ||
| IPP080N03L G | MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3 | ||
| IPP08CN10L G | MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3 | ||
| IPP080N06N G | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 | ||
| IPP084N06L3GXKSA1 | MOSFET N-CH 60V 50A TO-220-3 | ||
| IPP086N10N3GXKSA1 | MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 | ||
| IPP084N06L3GHKSA1 | MOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3 | ||
| IPP086N10N3GHKSA1 | MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 | ||
Infineon Technologies |
IPP086N10N3GXKSA1 | MOSFET MV POWER MOS | |
| IPP080N03L G | MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3 | ||
| IPP086N10N3GHKSA1 | MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 | ||
| IPP086N10N3GXK | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube - Rail/Tube (Alt: IPP086N10N3GXKSA1) | ||
| IPP080N03LG | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPP080N03LGHKSA1 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPP080N06 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPP080N06N | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPP080N06N,IPP080N06NG | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPP080N06NG | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPP080N06NG(080N06N) | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPP083N10N5 | MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS (Alt: IPP083N10N5) | ||
| IPP083N10N5 . | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPP084N06L | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPP084N06L3 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPP084N06L3G | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||
| IPP084N06L3G(084N06L) | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPP084N06L3G,084N06L,IPP | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPP084N06L3G,IPP084N06L3 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPP085N06LG | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPP085N06LG(085N06L) | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPP085N06LGAKSA1 | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin TO-220 Tube - Bulk (Alt: IPP085N06LGAKSA1) | ||
| IPP086N10 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPP086N10N3 | - Bulk (Alt: IPP086N10N3) | ||
| IPP086N10N3,086N10N | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPP086N10N3,086N10N,IPP0 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPP086N10N3G | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||
| IPP086N10N3G , 2SD780-DW | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPP086N10N3G HF | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPP086N10N3G(086N10N) | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPP086N10N3G,086N10N,IPP | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPP086N10N3G,IPP086N10N3 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPP086N10N3G/086N10N | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPP086N10N3GHF | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPP086N10N3GXKSA1 , 2SD7 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPP08CN10 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPP08CN10L | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPP08CN10LG | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPP086N10N3 G | Darlington Transistors MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3 |