 | | | |
| PartNumber | IPB107N20N3G | IPB107N20N3G 107N20N | IPB107N20N3G , 2SD1949K- |
| Description | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 88A I(D), 200V, 0.0107OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB | ||
| Manufacturer | INFINEON | - | - |
| Product Category | FETs - Single | - | - |
| Өндіруші | Бөлім № | Сипаттама | RFQ |
|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
IPB107N20N3GATMA1 | MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3 | |
| IPB107N20N3GATMA1 | MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3 | ||
| IPB107N20N3G | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 88A I(D), 200V, 0.0107OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB | ||
| IPB107N20N3G 107N20N | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPB107N20N3G , 2SD1949K- | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPB107N20N3G 0.2W | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPB107N20N3GS | Жаңа және түпнұсқа | ||
| IPB107N20N3GXT | Жаңа және түпнұсқа |