HN4A

HN4A06J(TE85L,F) vs HN4A06J vs HN4A06J / 53

 
PartNumberHN4A06J(TE85L,F)HN4A06JHN4A06J / 53
DescriptionBipolar Transistors - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A
ManufacturerToshiba Semiconductor and StorageTOSHIBA-
Product CategoryTransistors (BJT) - ArraysTransistors (BJT) - Arrays-
Series---
PackagingDigi-ReelR Alternate Packaging--
Package CaseSC-74A, SOT-753--
Mounting TypeSurface Mount--
Supplier Device PackageSMV--
Power Max300mW--
Transistor Type2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter--
Current Collector Ic Max100mA--
Voltage Collector Emitter Breakdown Max120V--
DC Current Gain hFE Min Ic Vce200 @ 2mA, 6V--
Vce Saturation Max Ib Ic300mV @ 1mA, 10mA--
Current Collector Cutoff Max100nA (ICBO)--
Frequency Transition100MHz--
  • -ден бастаңыз
  • HN4A 20
  • HN4 234
Өндіруші Бөлім № Сипаттама RFQ
Toshiba
Toshiba
HN4A56JU(TE85L,F) Bipolar Transistors - BJT USV PLN TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz
HN4A51JTE85LF Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A
HN4A06J(TE85L,F) Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A
HN4A51JTE85LF Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A
HN4A06J(TE85LF)CT-ND Жаңа және түпнұсқа
HN4A06J(TE85LF)DKR-ND Жаңа және түпнұсқа
HN4A51JTE85LFCT-ND Жаңа және түпнұсқа
HN4A51JTE85LFDKR-ND Жаңа және түпнұсқа
HN4A51JTE85LFTR-ND Жаңа және түпнұсқа
HN4A56JU(TE85LF)CT-ND Жаңа және түпнұсқа
HN4A56JU(TE85LF)DKR-ND Жаңа және түпнұсқа
HN4A56JU(TE85LF)TR-ND Жаңа және түпнұсқа
HN4A06J Жаңа және түпнұсқа
HN4A06J / 53 Жаңа және түпнұсқа
HN4A06J(TE85LF) Жаңа және түпнұсқа
HN4A08J Жаңа және түпнұсқа
HN4A51J Жаңа және түпнұсқа
HN4A56JU Жаңа және түпнұсқа
HN4A56JU(TE85L,F) Жаңа және түпнұсқа
HN4A56JU(TE85LF) Жаңа және түпнұсқа
HN4A71FK Жаңа және түпнұсқа
HN4A74FK Жаңа және түпнұсқа
Top