 |  | | |
| PartNumber | GA08JT17-247 | GA08W00000X | GA09-10W |
| Description | MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 250mO- 8A | ||
| Manufacturer | GeneSiC Semiconductor | - | - |
| Product Category | MOSFET | - | - |
| RoHS | Y | - | - |
| Technology | SiC | - | - |
| Mounting Style | Through Hole | - | - |
| Package / Case | TO-247-3 | - | - |
| Number of Channels | 1 Channel | - | - |
| Transistor Polarity | N-Channel | - | - |
| Vds Drain Source Breakdown Voltage | 1.7 kV | - | - |
| Id Continuous Drain Current | 8 A | - | - |
| Rds On Drain Source Resistance | 230 mOhms | - | - |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | - | - |
| Maximum Operating Temperature | + 175 C | - | - |
| Pd Power Dissipation | 91 W | - | - |
| Configuration | Single | - | - |
| Packaging | Tube | - | - |
| Series | GA08JT17 | - | - |
| Transistor Type | 1 N-Channel | - | - |
| Brand | GeneSiC Semiconductor | - | - |
| Fall Time | 50 ns | - | - |
| Product Type | MOSFET | - | - |
| Rise Time | 28 ns | - | - |
| Factory Pack Quantity | 30 | - | - |
| Subcategory | MOSFETs | - | - |
| Typical Turn Off Delay Time | 73 ns | - | - |
| Typical Turn On Delay Time | 30 ns | - | - |
| Unit Weight | 0.225401 oz | - | - |
| Өндіруші | Бөлім № | Сипаттама | RFQ |
|---|---|---|---|
GeneSiC Semiconductor |
GA08JT17-247 | MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 250mO- 8A | |
| GA08JT17-247 | IGBT Transistors MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 250mO- 8A | ||
| GA08W00000X | Жаңа және түпнұсқа | ||
| GA09-10W | Жаңа және түпнұсқа | ||
| GA09-3W | Жаңа және түпнұсқа | ||
| GA092 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| GA098 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| GA098-B | Жаңа және түпнұсқа | ||
| GA099-B | Жаңа және түпнұсқа | ||
| GA0DA00250 | Жаңа және түпнұсқа | ||
| GA0T12-V-G-08 | Жаңа және түпнұсқа |