DMN8

DMN80H2D0SCTI vs DMN8100-C0 vs DMN8102

 
PartNumberDMN80H2D0SCTIDMN8100-C0DMN8102
DescriptionMOSFET MOSFETBVDSS: 651V-800V
ManufacturerDiodes Incorporated--
Product CategoryMOSFET--
RoHSY--
TechnologySi--
Mounting StyleThrough Hole--
Package / CaseITO-220AB-3--
Number of Channels1 Channel--
Transistor PolarityN-Channel--
Vds Drain Source Breakdown Voltage800 V--
Id Continuous Drain Current7 A--
Rds On Drain Source Resistance1.4 Ohms--
Vgs th Gate Source Threshold Voltage2 V--
Vgs Gate Source Voltage30 V--
Qg Gate Charge35.4 nC--
Minimum Operating Temperature- 55 C--
Maximum Operating Temperature+ 150 C--
Pd Power Dissipation41 W--
ConfigurationSingle--
Channel ModeEnhancement--
PackagingTube--
Transistor Type1 N-Channel--
BrandDiodes Incorporated--
Fall Time42.6 ns--
Product TypeMOSFET--
Rise Time35.8 ns--
Factory Pack Quantity50--
SubcategoryMOSFETs--
Typical Turn Off Delay Time104 ns--
Typical Turn On Delay Time20.5 ns--
Unit Weight0.065257 oz--
  • -ден бастаңыз
  • DMN8 21
  • DMN 1106
Өндіруші Бөлім № Сипаттама RFQ
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
DMN80H2D0SCTI MOSFET MOSFETBVDSS: 651V-800V
DMN80H2D0SCTI MOSFET BVDSS: 651V800V ITO-220AB TUBE 50PCS
DMN8100-C0 Жаңа және түпнұсқа
DMN8102 Жаңа және түпнұсқа
DMN8102-BO Жаңа және түпнұсқа
DMN8600 Жаңа және түпнұсқа
DMN8600 RMA Жаңа және түпнұсқа
DMN8600-D0 Жаңа және түпнұсқа
DMN8600D0 Жаңа және түпнұсқа
DMN8602 Жаңа және түпнұсқа
DMN8602 B0 Жаңа және түпнұсқа
DMN8602BO Жаңа және түпнұсқа
DMN8603 Жаңа және түпнұсқа
DMN8603B1 Жаңа және түпнұсқа
DMN8604-CSZ Жаңа және түпнұсқа
DMN8633 Жаңа және түпнұсқа
DMN8652 Жаңа және түпнұсқа
DMN8652 B0 Жаңа және түпнұсқа
DMN8802-BC Жаңа және түпнұсқа
DMN8802BO Жаңа және түпнұсқа
DMN8822UTS-13 Жаңа және түпнұсқа
DMN886 Жаңа және түпнұсқа
Top