PartNumber | BSM250D17P2E004 | BSM252F | BSM254F |
Description | Discrete Semiconductor Modules 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET | |
Manufacturer | ROHM Semiconductor | - | - |
Product Category | Discrete Semiconductor Modules | - | - |
RoHS | Y | - | - |
Product | Power Semiconductor Modules | - | - |
Type | Half Bridge Module | - | - |
Vgs Gate Source Voltage | - 6 V, 22 V | - | - |
Mounting Style | Screw Mount | - | - |
Package / Case | Module | - | - |
Minimum Operating Temperature | - 40 C | - | - |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | - | - |
Series | BSMx | - | - |
Packaging | Tray | - | - |
Configuration | Half-Bridge | - | - |
Brand | ROHM Semiconductor | - | - |
Transistor Polarity | N-Channel | - | - |
Typical Delay Time | 55 ns | - | - |
Fall Time | 70 ns | - | - |
Id Continuous Drain Current | 250 A | - | - |
Pd Power Dissipation | 1800 W | - | - |
Product Type | Discrete Semiconductor Modules | - | - |
Rise Time | 55 ns | - | - |
Factory Pack Quantity | 4 | - | - |
Subcategory | Discrete Semiconductor Modules | - | - |
Typical Turn Off Delay Time | 195 ns | - | - |
Typical Turn On Delay Time | 55 ns | - | - |
Vds Drain Source Breakdown Voltage | 1700 V | - | - |
Vgs th Gate Source Threshold Voltage | 1.6 V | - | - |
Өндіруші | Бөлім № | Сипаттама | RFQ |
---|---|---|---|
BSM250D17P2E004 | Discrete Semiconductor Modules 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module | ||
BSM25GD120DLCE3224BOSA1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | ||
BSM25GD120DLC3224 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | ||
BSM254FA10 | Жаңа және түпнұсқа | ||
BSM252F | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET | ||
BSM254F | Жаңа және түпнұсқа | ||
BSM25GAL120D | Жаңа және түпнұсқа | ||
BSM25GAL120DN2 | Жаңа және түпнұсқа | ||
BSM25GB100D | Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel | ||
BSM25GB120D | Жаңа және түпнұсқа | ||
BSM25GB120DN2 | IGBT Modules 1200V 25A DUAL | ||
BSM25GD100D | Жаңа және түпнұсқа | ||
BSM25GD101D | Жаңа және түпнұсқа | ||
BSM25GD120D | Жаңа және түпнұсқа | ||
BSM25GD120D2 | Жаңа және түпнұсқа | ||
BSM25GD120DLC | Жаңа және түпнұсқа | ||
BSM25GD120DLCE3224 | Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 25A nom 200W 17-Pin EconoPACK 2A 107.5x45mm T/R (Alt: SP000100397) | ||
BSM25GD120DLC_E3224 | Жаңа және түпнұсқа | ||
BSM25GD120DN | Жаңа және түпнұсқа | ||
BSM25GD120DN1 | Жаңа және түпнұсқа | ||
BSM25GD120DN12 | Жаңа және түпнұсқа | ||
BSM25GD120DN2E | Жаңа және түпнұсқа | ||
BSM25GD120DN2E224 | Жаңа және түпнұсқа | ||
BSM25GD120DN2_E3224 | Жаңа және түпнұсқа | ||
BSM25GD120ND | Жаңа және түпнұсқа | ||
BSM25GD120ND2 | Жаңа және түпнұсқа | ||
BSM25GP120-B2 | Жаңа және түпнұсқа | ||
BSM25GP120B2 | Жаңа және түпнұсқа | ||
BSM25GP120DN2 | Жаңа және түпнұсқа | ||
BSM25GP60 | Жаңа және түпнұсқа | ||
BSM250D17P2E004 | HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF | ||
BSM25GD120DN2E3224 | IGBT Modules N-CH 1.2KV 35A | ||
BSM25GD120DN2 | IGBT Modules 1200V 25A FL BRIDGE | ||
BSM25GP120 | IGBT Modules 1200V 25A PIM | ||
Infineon Technologies |
BSM25GP120 | IGBT Modules 1200V 25A PIM | |
BSM25GD120DN2E3224 | IGBT Modules N-CH 1.2KV 35A | ||
BSM25GD120DN2 | IGBT Modules 1200V 25A FL BRIDGE | ||
BSM25GD120DN2BOSA1 | 35 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT | ||
BSM25GD120DN2E3224BOSA1 | IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 | ||
BSM25GP120BOSA1 | 45 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |