BSM

BSM250D17P2E004 vs BSM20GP60 vs BSM20GP60BOSA1

 
PartNumberBSM250D17P2E004BSM20GP60BSM20GP60BOSA1
DescriptionDiscrete Semiconductor Modules 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr ModuleIGBT Modules 600V 20A PIMIGBT 2 LOW POWER ECONO2-5
ManufacturerROHM SemiconductorInfineon-
Product CategoryDiscrete Semiconductor ModulesIGBT Modules-
RoHSYY-
ProductPower Semiconductor ModulesIGBT Silicon Modules-
TypeHalf Bridge Module--
Vgs Gate Source Voltage- 6 V, 22 V--
Mounting StyleScrew MountChassis Mount-
Package / CaseModuleEconoPIM2-
Minimum Operating Temperature- 40 C- 40 C-
Maximum Operating Temperature+ 150 C+ 125 C-
SeriesBSMx--
PackagingTrayTray-
ConfigurationHalf-BridgeHex-
BrandROHM SemiconductorInfineon Technologies-
Transistor PolarityN-Channel--
Typical Delay Time55 ns--
Fall Time70 ns--
Id Continuous Drain Current250 A--
Pd Power Dissipation1800 W130 W-
Product TypeDiscrete Semiconductor ModulesIGBT Modules-
Rise Time55 ns--
Factory Pack Quantity410-
SubcategoryDiscrete Semiconductor ModulesIGBTs-
Typical Turn Off Delay Time195 ns--
Typical Turn On Delay Time55 ns--
Vds Drain Source Breakdown Voltage1700 V--
Vgs th Gate Source Threshold Voltage1.6 V--
Collector Emitter Voltage VCEO Max-600 V-
Collector Emitter Saturation Voltage-1.95 V-
Continuous Collector Current at 25 C-35 A-
Gate Emitter Leakage Current-300 nA-
Height-17 mm-
Length-107.5 mm-
Width-45 mm-
Maximum Gate Emitter Voltage-20 V-
Part # Aliases-BSM20GP60BOSA1 SP000100377-
  • -ден бастаңыз
  • BSM 652
Өндіруші Бөлім № Сипаттама RFQ
BSM250D17P2E004 Discrete Semiconductor Modules 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
BSM25GB120DN2 IGBT Modules 1200V 25A DUAL
BSM250D17P2E004 HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF
Infineon Technologies
Infineon Technologies
BSM25GP120 IGBT Modules 1200V 25A PIM
BSM25GD120DN2E3224 IGBT Modules N-CH 1.2KV 35A
BSM25GD120DN2 IGBT Modules 1200V 25A FL BRIDGE
BSM20GP60 IGBT Modules 600V 20A PIM
BSM20GP60BOSA1 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5
BSM25GD120DN2BOSA1 35 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
BSM25GD120DN2E3224BOSA1 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
BSM25GP120BOSA1 45 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
BSM25GD120DN2E3224 IGBT Modules N-CH 1.2KV 35A
BSM25GD120DN2 IGBT Modules 1200V 25A FL BRIDGE
BSM20GP60 IGBT Modules 600V 20A PIM
BSM25GP120 IGBT Modules 1200V 25A PIM
BSM25GD120DLCE3224BOSA1 Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
BSM25GD120DLC3224 Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
BSM254FA10 Жаңа және түпнұсқа
BSM20GD60DN2E3224 Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES
BSM214 Жаңа және түпнұсқа
BSM214A Жаңа және түпнұсқа
BSM224A Жаңа және түпнұсқа
BSM225A Жаңа және түпнұсқа
BSM22GD123D Жаңа және түпнұсқа
BSM24-03S60 Жаңа және түпнұсқа
BSM252F Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET
BSM254F Жаңа және түпнұсқа
BSM25GAL120D Жаңа және түпнұсқа
BSM25GAL120DN2 Жаңа және түпнұсқа
BSM25GB100D Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel
BSM25GB120D Жаңа және түпнұсқа
BSM25GD100D Жаңа және түпнұсқа
BSM25GD101D Жаңа және түпнұсқа
BSM25GD120D Жаңа және түпнұсқа
BSM25GD120DLC Жаңа және түпнұсқа
BSM25GD120DLCE3224 Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 25A nom 200W 17-Pin EconoPACK 2A 107.5x45mm T/R (Alt: SP000100397)
BSM25GD120DLC_E3224 Жаңа және түпнұсқа
BSM25GD120DN Жаңа және түпнұсқа
BSM25GD120DN1 Жаңа және түпнұсқа
BSM25GD120DN2E Жаңа және түпнұсқа
BSM25GD120DN2E224 Жаңа және түпнұсқа
BSM25GD120DN2_E3224 Жаңа және түпнұсқа
BSM25GD120ND Жаңа және түпнұсқа
BSM25GD120ND2 Жаңа және түпнұсқа
BSM25GP120B2 Жаңа және түпнұсқа
BSM25GP120DN2 Жаңа және түпнұсқа
BSM25GP60 Жаңа және түпнұсқа
BSM25GD120D2 Жаңа және түпнұсқа
BSM25GD120DN12 Жаңа және түпнұсқа
BSM25GP120-B2 Жаңа және түпнұсқа
Top