2SK31

2SK3176(F) vs 2SK315F-SPA-AC vs 2SK3162-91-E

 
PartNumber2SK3176(F)2SK315F-SPA-AC2SK3162-91-E
DescriptionMOSFET MOSFET N-Ch 200V 30A Rdson 0.052 Ohm- Bulk (Alt: 2SK315F-SPA-AC)- Bulk (Alt: 2SK3162-91-E)
ManufacturerToshiba--
Product CategoryMOSFET--
RoHSY--
TechnologySi--
Mounting StyleThrough Hole--
Package / CaseTO-3PN-3--
Number of Channels1 Channel--
Transistor PolarityN-Channel--
Vds Drain Source Breakdown Voltage200 V--
Id Continuous Drain Current30 A--
Rds On Drain Source Resistance52 mOhms--
Vgs Gate Source Voltage20 V--
Minimum Operating Temperature- 55 C--
Maximum Operating Temperature+ 150 C--
Pd Power Dissipation150 W--
ConfigurationSingle--
Channel ModeEnhancement--
Height20 mm--
Length15.5 mm--
Series2SK3176--
Transistor Type1 N-Channel--
Width4.5 mm--
BrandToshiba--
Fall Time25 ns--
Product TypeMOSFET--
Rise Time15 ns--
Factory Pack Quantity50--
SubcategoryMOSFETs--
Unit Weight0.245577 oz--
Өндіруші Бөлім № Сипаттама RFQ
Toshiba
Toshiba
2SK3176(F) MOSFET MOSFET N-Ch 200V 30A Rdson 0.052 Ohm
2SK3176(F) MOSFET MOSFET N-Ch 200V 30A Rdson 0.052 Ohm
2SK315F-SPA-AC - Bulk (Alt: 2SK315F-SPA-AC)
2SK3162-91-E - Bulk (Alt: 2SK3162-91-E)
2SK316 Жаңа және түпнұсқа
2SK3161STR-E Trans MOSFET N-CH Si 200V 15A 3-Pin(2+Tab) LDPAK(S)-1 T/R
2SK317 Жаңа және түпнұсқа
2SK3174 Жаңа және түпнұсқа
2SK3175 Жаңа және түпнұсқа
2SK3176 Жаңа және түпнұсқа
2SK3179(TE85L) Жаңа және түпнұсқа
2SK318 Жаңа және түпнұсқа
2SK3183 Жаңа және түпнұсқа
2SK3199,K3199 Жаңа және түпнұсқа
2SK3160 Жаңа және түпнұсқа
2SK319 Жаңа және түпнұсқа
Top