2SJ36

2SJ360(F) vs 2SJ360 vs 2SJ360(F)-ND

 
PartNumber2SJ360(F)2SJ3602SJ360(F)-ND
DescriptionMOSFET P-Ch 4-V gate drive RDS 0.55Ohm -60V
ManufacturerToshibaTOSHIBA-
Product CategoryMOSFETIC Chips-
RoHSY--
TechnologySi--
Mounting StyleSMD/SMT--
Package / CaseSC-62-3--
Number of Channels1 Channel--
Transistor PolarityP-Channel--
Vds Drain Source Breakdown Voltage60 V--
Id Continuous Drain Current1 A--
Rds On Drain Source Resistance730 mOhms--
Vgs Gate Source Voltage20 V--
Minimum Operating Temperature- 55 C--
Maximum Operating Temperature+ 150 C--
Pd Power Dissipation1.5 W--
ConfigurationSingle--
Channel ModeEnhancement--
PackagingReel--
Height1.6 mm--
Length4.6 mm--
ProductMOSFET Small Signal--
Series2SJ360--
Transistor Type1 P-Channel--
Width2.5 mm--
BrandToshiba--
Fall Time20 ns--
Product TypeMOSFET--
Rise Time17 ns--
Factory Pack Quantity2000--
SubcategoryMOSFETs--
Өндіруші Бөлім № Сипаттама RFQ
Toshiba
Toshiba
2SJ360(F) MOSFET P-Ch 4-V gate drive RDS 0.55Ohm -60V
2SJ360 Жаңа және түпнұсқа
2SJ360(F) Жаңа және түпнұсқа
2SJ360(T2LVALEO,ZF) Жаңа және түпнұсқа
2SJ360(T2LVALEOZF) Жаңа және түпнұсқа
2SJ360(TE12L Жаңа және түпнұсқа
2SJ360(TE12L F) Жаңа және түпнұсқа
2SJ360(TE12L,F) Жаңа және түпнұсқа
2SJ360(TE12LF) Жаңа және түпнұсқа
2SJ361 Жаңа және түпнұсқа
2SJ361RYTR Жаңа және түпнұсқа
2SJ361RYTR-E Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
2SJ362 Жаңа және түпнұсқа
2SJ362-T1 Жаңа және түпнұсқа
2SJ363 Жаңа және түпнұсқа
2SJ364 Жаңа және түпнұсқа
2SJ364-Q Жаңа және түпнұсқа
2SJ365 Жаңа және түпнұсқа
2SJ366 Жаңа және түпнұсқа
2SJ366 SOT252 Жаңа және түпнұсқа
2SJ366 , MAX6469UT285BD3 Жаңа және түпнұсқа
2SJ367 Жаңа және түпнұсқа
2SJ369 Жаңа және түпнұсқа
2SJ369 , RLZ TE-11 5.6A Жаңа және түпнұсқа
2SJ360TE12LF Trans MOSFET P-CH Si 60V 1A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
2SJ360TE12L F Жаңа және түпнұсқа
2SJ360(F)-ND Жаңа және түпнұсқа
2SJ360(TE12L,F)-ND Жаңа және түпнұсқа
Top