2MB

2MBI400NK-060-01 vs 2MBI400NK-060A-01 vs 2MBI400NT060-02

 
PartNumber2MBI400NK-060-012MBI400NK-060A-012MBI400NT060-02
Description
ManufacturerFUJI--
Product CategoryModule--
  • -ден бастаңыз
  • 2MB 273
Өндіруші Бөлім № Сипаттама RFQ
2MBI400NK-060-01 Жаңа және түпнұсқа
2MBI400NK-060A-01 Жаңа және түпнұсқа
2MBI400NT060-02 Жаңа және түпнұсқа
2MBI400SK-060-01 Жаңа және түпнұсқа
2MBI400TB-060-01 Жаңа және түпнұсқа
2MBI400TB060 Жаңа және түпнұсқа
2MBI400U2B-060-50 IGBT, DUAL, MODULE, 400A, 600V, NPT, Transistor Polarity:N Channel, DC Collector Current:400A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.55V, Power Dissipation Pd:1.25kW, Collector Emitter V
2MBI400U4H-120 IGBT STANDARD MODULE
2MBI400U4H-120-50 IGBT, 2 PACK MODULE 1200V, 400A, M234, Transistor Polarity:N Channel, DC Collector Current:400A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.05V, Power Dissipation Pd:2.045kW, Collector Emitte
2MBI400U4H-170 IGBT STANDARD MODULE
2MBI400U4H-170-01 Жаңа және түпнұсқа
2MBI400U4H-170-50 IGBT STANDARD MODULE
2MBI400U4H170 Жаңа және түпнұсқа
2MBI400UH-120 Жаңа және түпнұсқа
2MBI400VB-060 Жаңа және түпнұсқа
2MBI400VB-060-50 Insulated Gate Bipolar Transisto
2MBI450U4E-120 IGBT STANDARD MODULE
2MBI450U4J-120 Жаңа және түпнұсқа
2MBI450U4J-120-50 IGBT STANDARD MODULE
2MBI450U4N-120-50 600A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
2MBI450U4N-170-50 600A, 1700V, N-CHANNEL IGBT
2MBI450VH-120-50 Insulated GateBipolarTransistor,520AI(C),1200VV(BR)CES
2MBI450VN-120-50 2 Pack IGBT VN-ser, 450A, 1200V, solde
2MBI450VN-120-50-M 450A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
2MBI450VN-120-55 Жаңа және түпнұсқа
2MBI50-060 Жаңа және түпнұсқа
2MBI50F-050A Жаңа және түпнұсқа
2MBI50KB-060 Жаңа және түпнұсқа
2MBI50L-060 50A 600V Жаңа және түпнұсқа
2MBI50L-120 Жаңа және түпнұсқа
2MBI50N-060 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
2MBI50N-120 Жаңа және түпнұсқа
2MBI600NT-060 Insulated Gate Bipolar Transistor,600AI(C),600VV(BR)CES, N-Channel
2MBI600U2E-060 600A, 650V, N-CHANNEL IGBT
2MBI600VE-060 Жаңа және түпнұсқа
2MBI600VE-120-50 2 Pack IGBT VE-series, 600A, 1200V
2MBI600VN-120 Жаңа және түпнұсқа
2MBI600VN-120-50 Insulated GateBipolarTransistor,600AI(C),1200VV(BR)CES, N-Channel
2MBI600VN-120-50-M Insulated GateBipolarTransistor,600AI(C),1200VV(BR)CES, N-Channel
2MBI600VN-120-50/SL600H1 Жаңа және түпнұсқа
2MBI600VN-170-50 Жаңа және түпнұсқа
2MBI600VXA-120E-50 IGBT, MODULE, DUAL N CHANNEL, 1.2KV, 800A, Transistor Polarity:Dual N Channel, DC Collector Current:800A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V, Power Dissipation Pd:3.35kW, Collecto
2MBI600VXA-120E-51 IGBT HPM
2MBI650VXA-170-50 Жаңа және түпнұсқа
2MBI650VXA-170E-50 IGBT, MODULE, DUAL N CHANNEL, 1.7KV, 900A, Transistor Polarity:Dual N Channel, DC Collector Current:900A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.1V, Power Dissipation Pd:4.15kW, Collector
2MBI75F-060 Жаңа және түпнұсқа
2MBI75J-060 Жаңа және түпнұсқа
2MBI75L-060 Жаңа және түпнұсқа
2MBI75L-120 Жаңа және түпнұсқа
2MBI75N-060 Жаңа және түпнұсқа
Top