SQM120N06-06_GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

120 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

4.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

145 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

230 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Түтік

Серия:

SQ

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

94 S

Күз уақыты:

9 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

14 ns

Зауыттық буманың саны:

800

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

34 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

16 ns

Бірлік салмағы:

0.077603 oz

Tags

SQM120N06-06, SQM120N06-0, SQM120N06, SQM120N0, SQM120N, SQM12, SQM1, SQM