SIHB25N50E-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

550 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

26 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

145 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

57 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

250 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

E

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Күз уақыты:

29 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

36 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

57 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

19 ns

Бірлік салмағы:

0.077603 oz

Tags

SIHB2, SIHB, SIH