CSD86311W1723

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Texas Instruments

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

DSBGA-12

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

25 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

42 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

3.1 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.5 W

Конфигурация:

Қосарлы

Сауда атауы:

NexFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.62 mm

Ұзындығы:

2.32 mm

Серия:

CSD86311W1723

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

1.74 mm

Бренд:

Texas Instruments

Форвард өткізгіштік - Мин:

6.4 S

Күз уақыты:

2.9 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

4.3 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

13.2 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

5.4 ns

Бірлік салмағы:

0.000145 oz

Tags

CSD86, CSD8, CSD