IRF7739L2TR1PBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

DirectFET-L8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

40 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

270 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

700 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

220 nC

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

125 W

Конфигурация:

Бойдақ

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.74 mm

Ұзындығы:

9.15 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

7.1 mm

Бренд:

Infineon / IR

Форвард өткізгіштік - Мин:

280 S

Күз уақыты:

42 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

71 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

56 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

21 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001563718

Бірлік салмағы:

0.035274 oz

Tags

IRF7739L2, IRF7739, IRF773, IRF77, IRF7, IRF