NTHD4P02FT1G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ON Жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

ChipFET-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

200 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

12 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.1 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.05 mm

Ұзындығы:

3.05 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Серия:

NTHD4P02

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Түрі:

MOSFET

Ені:

1.65 mm

Бренд:

ON Жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

5 S

Күз уақыты:

13 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

13 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

33 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

7 ns

Бірлік салмағы:

0.002998 oz

Tags

NTHD4P02FT1G, NTHD4P02FT, NTHD4P02F, NTHD4P02, NTHD4P0, NTHD4P, NTHD4, NTHD, NTH