IXTU4N70X2

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

RoHS:

Y

Өнім:

Power MOSFET модульдері

Түрі:

X2-Class

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-251-3

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Қаптама:

Түтік

Конфигурация:

Бойдақ

Бренд:

IXYS

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Күз уақыты:

28 ns

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

4 A

Pd - қуаттың шығыны:

80 W

Өнім түрі:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

850 mOhms

Көтеру уақыты:

27 ns

Зауыттық буманың саны:

70

Ішкі санат:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

Сауда атауы:

HiPerFET

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

66 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

20 ns

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

700 V

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.5 V

Tags

IXTU4, IXTU, IXT