2SD1963T100R

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

Биполярлы транзисторлар - BJT

RoHS:

Y

Орнату стилі:

SMD/SMT

Транзистордың полярлығы:

NPN

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

20 V

Коллектор – базалық кернеу VCBO:

50 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

6 V

Тұрақты ток коллекторының максималды тогы:

3 A

Өткізу қабілеттілігін арттыру өнімі fT:

150 MHz

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Тұрақты ток күші hFE макс:

180 at 500 mA, 2 V

Биіктігі:

1.5 mm

Ұзындығы:

4.5 mm

Қаптама:

Ролик

Ені:

2.5 mm

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Үздіксіз коллекторлық ток:

3 A

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

180

Pd - қуаттың шығыны:

2000 mW

Өнім түрі:

BJTs - Биполярлы транзисторлар

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

Транзисторлар

Бірлік салмағы:

0.004603 oz

Tags

2SD1963T, 2SD196, 2SD19, 2SD1, 2SD