PHB29N08T,118

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Nexperia

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

75 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

27 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

96 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

19 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

88 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

4.5 mm

Ұзындығы:

10.3 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

9.4 mm

Бренд:

Nexperia

Күз уақыты:

9 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

70 ns

Зауыттық буманың саны:

800

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

9.5 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

/T3 PHB29N08T

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

PHB29N08T, PHB29, PHB2, PHB