CGHV96050F2

CGHV96050F2
Mfr. #:
CGHV96050F2
Өндіруші:
N/A
Сипаттама:
RF JFET Transistors GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
CGHV96050F2 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
CGHV96050F2 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
Қорво
Өнім санаты:
RF JFET транзисторлары
RoHS:
Y
Технология:
GaN SiC
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
32 V
Vgs - Gate-Source бұзылу кернеуі:
100 V
Pd - қуаттың шығыны:
45 W
Орнату стилі:
SMD/SMT
Қаптама:
Науа
Конфигурация:
Бойдақ
Биіктігі:
4.064 mm
Ұзындығы:
9.652 mm
Ені:
5.842 mm
Бренд:
Қорво
Шлюз-көзінің кесу кернеуі:
- 2.9 V
Ылғалға сезімтал:
Иә
Өнім түрі:
RF JFET транзисторлары
Зауыттық буманың саны:
50
Ішкі санат:
Транзисторлар
Бөлім # Бүркеншік аттар:
1092444
Tags
CGHV960, CGHV9, CGHV, CGH
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
FET RF 100V 9.6GHZ 440210
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
X-Band GaN HEMTs & MMICs
Wolfspeed/Cree X-Band GaN HEMTs & MMICs wide bandgap increases the breakdown field by five times and the power density by a factor of 10 to 20 compared with GaAs-based devices. Cree GaN components are smaller and have a lower capacitance for the same operating power. This means that amplifiers can operate over a wider bandwidth while exhibiting good input and output matching. X-band power amplifiers are moving away from inefficient GaAs pHEMTs and unreliable Traveling Wave Tubes due to the significant advantages of GaN HEMTs and MMICs.Learn More
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
CGHV96050F2
DISTI # CGHV96050F2-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 40V 440210
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tray
98In Stock
  • 1:$458.6800
CGHV96050F2-TB
DISTI # CGHV96050F2-TB-ND
WolfspeedTEST FIXTURE FOR CGHV96050F2
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
3In Stock
  • 1:$550.0000
CGHV96050F2
DISTI # 941-CGHV96050F2
Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
RoHS: Compliant
5
  • 1:$458.6800
CGHV96050F2-TB
DISTI # 941-CGHV96050F2-TB
Cree, Inc.RF Development Tools Test Board without GaN HEMT
RoHS: Not compliant
2
  • 1:$550.0000
CGHV96050F2-TB
DISTI # CGHV96050F2-TB
WolfspeedRF TRANSISTOR TEST FIXTURE
RoHS: Compliant
2
  • 2:$550.0000
Сурет Бөлім № Сипаттама
CMPA601C025F

Mfr.#: CMPA601C025F

OMO.#: OMO-CMPA601C025F

RF Amplifier GaN MMIC Power Amp 6.0-12.0GHz, 25 Watt
MAAL-011078-TR1000

Mfr.#: MAAL-011078-TR1000

OMO.#: OMO-MAAL-011078-TR1000

RF Amplifier 700MHz-6GHz Gain 2dB NF .35dB OIP3 33dBm
HMC591LP5E

Mfr.#: HMC591LP5E

OMO.#: OMO-HMC591LP5E

RF Amplifier 2 Watt pow amp SMT, 6.0 - 9.5 GHz
HMC347ALP3E

Mfr.#: HMC347ALP3E

OMO.#: OMO-HMC347ALP3E

RF Switch ICs Switches
HMC232ALP4E

Mfr.#: HMC232ALP4E

OMO.#: OMO-HMC232ALP4E

RF Switch ICs DC-15 GHz Non-Refl SPDT Swtch
56-504-012-GBL

Mfr.#: 56-504-012-GBL

OMO.#: OMO-56-504-012-GBL

D-Sub Standard Connectors 9C PCB RT ANG 840pF
230016003

Mfr.#: 230016003

OMO.#: OMO-230016003

D-Sub Adapters & Gender Changers D-Sub Filteradapter 9pol 1pF
HMC591LP5E

Mfr.#: HMC591LP5E

OMO.#: OMO-HMC591LP5E-ANALOG-DEVICES

RF Amplifier 2 Watt pow amp SMT 6.0 - 9.5 GHz
HMC232ALP4E

Mfr.#: HMC232ALP4E

OMO.#: OMO-HMC232ALP4E-ANALOG-DEVICES

RF Switch ICs DC-15 GHz Non-Refl SPDT Swtch
56-504-012-GBL

Mfr.#: 56-504-012-GBL

OMO.#: OMO-56-504-012-GBL-API-TECHNOLOGIES

D-Sub Standard Connectors 9C PCB RT ANG 840pF
Қол жетімділік
Қор:
Available
Тапсырыс бойынша:
1988
Саны енгізіңіз:
CGHV96050F2 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
Анықтамалық баға (USD)
Саны
Тауар өлшемінің бағасы
Қосымша. Бағасы
1
433,77 $
433,77 $
2021 жылдан бастап жартылай өткізгіштің жетіспеушілігіне байланысты 2021 жылға дейінгі қалыпты баға төмен. Растау үшін сұрау жіберіңіз.
-ден бастаңыз
Top