SI2304BDS-T1-GE3

SI2304BDS-T1-GE3
Mfr. #:
SI2304BDS-T1-GE3
Өндіруші:
Vishay
Сипаттама:
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SI2304BDS-T1-GE3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
SI2304BDS-T1-GE3 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші
Вишай Силиконикс
Өнім санаты
FETs - жалғыз
Сериялар
TrenchFETR
Қаптама
Digi-ReelR балама орамасы
Бөлік бүркеншік аттар
SI2304BDS-GE3
Бірлік-салмағы
0.050717 oz
Монтаждау стилі
SMD/SMT
Пакет-қорап
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология
Си
Жұмыс температурасы
-55°C ~ 150°C (TJ)
Монтаждау түрі
Беттік орнату
Арналар саны
1 Channel
Жабдықтаушы-құрылғы-пакет
SOT-23-3 (TO-236)
Конфигурация
Бойдақ
FET түрі
MOSFET N-арнасы, металл оксиді
Қуат – Макс
750mW
Транзистор түрі
1 N-Channel
Ағызу-көзге-кернеу-Vdss
30V
Кіріс-сыйымдылық-Ciss-Vds
225pF @ 15V
FET мүмкіндігі
Стандартты
Ағымдағы-Үздіксіз-ағызу-Id-25°C
2.6A (Ta)
Rds-On-Max-Id-Vgs
70 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs-th-Max-Id
3V @ 250μA
Gate-Charge-Qg-Vgs
4nC @ 5V
Pd-қуат-диссипация
750 mW
Максималды-жұмыс температурасы
+ 150 C
Ең төменгі жұмыс температурасы
- 55 C
Күз уақыты
12.5 ns
Көтерілу уақыты
12.5 ns
Vgs-қақпа-көзі-кернеу
20 V
Id-үздіксіз-ағызу-ток
2.6 A
Vds-ағызу-көз-бұзу-кернеу
30 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
70 mOhms
Транзистор-полярлық
N-арна
Әдеттегі-өшіру-кідірту уақыты
19 ns
Әдеттегі-қосу-кешігу-уақыты
7.5 ns
Арна режимі
Жақсарту
Tags
SI2304BDS-T1, SI2304BDS-T, SI2304B, SI2304, SI230, SI23, SI2
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs
Vishay SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs are N-channel MOSFETs designed with 30V V(ds) and are 100% tested gate resistance(Rg). These MOSFETs have gate resistance tested for 1MHz frequency with 0.2Ω to 1.4Ω. These SI2 series MOSFETs operate from -55ºC to 150ºC junction and storage temperature. The SI2 series are ideal for DC/DC converter, Load switch, and power management.
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SI2304BDS-T1-GE3
DISTI # V72:2272_07432760
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
RoHS: Compliant
2710
  • 1000:$0.1771
  • 500:$0.2022
  • 250:$0.2274
  • 100:$0.2344
  • 25:$0.3154
  • 10:$0.3166
  • 1:$0.3799
SI2304BDS-T1-GE3
DISTI # SI2304BDS-T1-GE3CT-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
105553In Stock
  • 1000:$0.1246
  • 500:$0.1661
  • 100:$0.2423
  • 10:$0.3530
  • 1:$0.4500
SI2304BDS-T1-GE3
DISTI # SI2304BDS-T1-GE3DKR-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®
105553In Stock
  • 1000:$0.1246
  • 500:$0.1661
  • 100:$0.2423
  • 10:$0.3530
  • 1:$0.4500
SI2304BDS-T1-GE3
DISTI # SI2304BDS-T1-GE3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
105000In Stock
  • 3000:$0.1109
SI2304BDS-T1-GE3
DISTI # 27168410
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
RoHS: Compliant
2710
  • 1000:$0.1771
  • 500:$0.2022
  • 250:$0.2274
  • 100:$0.2344
  • 33:$0.3154
SI2304BDS-T1-GE3
DISTI # SI2304BDS-T1-GE3
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2304BDS-T1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel
Americas - 0
  • 3000:$0.2029
  • 6000:$0.1969
  • 12000:$0.1889
  • 18000:$0.1839
  • 30000:$0.1789
SI2304BDS-T1-GE3
DISTI # SI2304BDS-T1-GE3
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: SI2304BDS-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape and Reel
Europe - 0
  • 3000:€0.2749
  • 6000:€0.1869
  • 12000:€0.1609
  • 18000:€0.1489
  • 30000:€0.1379
SI2304BDS-T1-GE3
DISTI # 16P3704
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 16P3704)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 1
Container: Ammo Pack
Americas - 0
  • 1:$0.8040
  • 25:$0.6070
  • 50:$0.5290
  • 100:$0.4510
  • 250:$0.4120
  • 500:$0.3710
  • 1000:$0.2870
SI2304BDS-T1-GE3
DISTI # 16P3704
Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 30V, 3.2A, TO-236,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:3.2A,Drain Source Voltage Vds:30V,On Resistance Rds(on):105mohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:20V,Threshold Voltage Vgs:3V , RoHS Compliant: Yes3560
  • 1:$0.8040
  • 25:$0.6070
  • 50:$0.5290
  • 100:$0.4510
  • 250:$0.4120
  • 500:$0.3710
  • 1000:$0.2870
SI2304BDS-T1-GE3.
DISTI # 28AC2124
Vishay IntertechnologiesN-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET , ROHS COMPLIANT: NO0
  • 1:$0.2030
  • 6000:$0.1970
  • 12000:$0.1890
  • 18000:$0.1840
  • 30000:$0.1790
SI2304BDS-T1-GE3
DISTI # 781-SI2304BDS-T1-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 3.2A 1.08W 70mohm @ 10V
RoHS: Compliant
11724
  • 1:$0.6700
  • 10:$0.5060
  • 100:$0.3760
  • 500:$0.3090
  • 1000:$0.2390
  • 3000:$0.2170
  • 6000:$0.2030
  • 9000:$0.1900
SI2304BDS-T1-GE3
DISTI # C1S803603512729
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
RoHS: Compliant
6000
  • 3000:$0.0900
SI2304BDS-T1-GE3
DISTI # C1S803601360168
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
RoHS: Compliant
2710
  • 250:$0.2341
  • 100:$0.2345
  • 25:$0.3157
  • 10:$0.3168
SI2304BDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 3.2A 1.08W 70mohm @ 10V
RoHS: Compliant
Americas -
    SI2304BDS-T1-GE3
    DISTI # XSFP00000077602
    Vishay Siliconix 
    RoHS: Compliant
    4038
    • 3000:$0.1936
    • 4038:$0.1760
    Сурет Бөлім № Сипаттама
    SI2304BDS-T1-GE3

    Mfr.#: SI2304BDS-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI2304BDS-T1-GE3

    MOSFET 30V 3.2A 1.08W 70mohm @ 10V
    SI2304BDS-T1-E3

    Mfr.#: SI2304BDS-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI2304BDS-T1-E3

    MOSFET 30V 3.2A 0.07Ohm
    SI2304BDS

    Mfr.#: SI2304BDS

    OMO.#: OMO-SI2304BDS-1190

    Жаңа және түпнұсқа
    SI2304BDS-T1-E3

    Mfr.#: SI2304BDS-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI2304BDS-T1-E3-VISHAY

    MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
    SI2304BDS-T1-GE3

    Mfr.#: SI2304BDS-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI2304BDS-T1-GE3-VISHAY

    MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
    SI2304BDS-TI-E3

    Mfr.#: SI2304BDS-TI-E3

    OMO.#: OMO-SI2304BDS-TI-E3-1190

    Жаңа және түпнұсқа
    SI2304BDS-T1-E3-CUT TAPE

    Mfr.#: SI2304BDS-T1-E3-CUT TAPE

    OMO.#: OMO-SI2304BDS-T1-E3-CUT-TAPE-1190

    Жаңа және түпнұсқа
    SI2304BDS-T1-GE3-CUT TAPE

    Mfr.#: SI2304BDS-T1-GE3-CUT TAPE

    OMO.#: OMO-SI2304BDS-T1-GE3-CUT-TAPE-1190

    Жаңа және түпнұсқа
    Қол жетімділік
    Қор:
    Available
    Тапсырыс бойынша:
    5500
    Саны енгізіңіз:
    SI2304BDS-T1-GE3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
    Анықтамалық баға (USD)
    Саны
    Тауар өлшемінің бағасы
    Қосымша. Бағасы
    1
    0,13 $
    0,13 $
    10
    0,12 $
    1,22 $
    100
    0,12 $
    11,55 $
    500
    0,11 $
    54,55 $
    1000
    0,10 $
    102,60 $
    -ден бастаңыз
    Top