TT8M3TR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSST-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2.5 A, 2.4 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

140 mOhms, 360 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

300 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

3.6 nC, 6.7 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.25 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.8 mm

Ұзындығы:

3 mm

Өнім:

MOSFET

Түрі:

MOSFET қуаты

Ені:

1.6 mm

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

2.7 S, 2.4 S

Күз уақыты:

17 ns, 45 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

17 ns, 25 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

28 ns, 55 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

9 ns, 9 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

TT8M3

Tags

TT8M, TT8