SSM3J56ACT,L3F

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

CST3-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

1.4 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

4 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Qg - қақпа заряды:

1.6 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

500 mW (1/2 W)

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.38 mm

Ұзындығы:

1 mm

Серия:

SSM3J56

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

0.6 mm

Бренд:

Toshiba

Өнім түрі:

MOSFET

Зауыттық буманың саны:

10000

Ішкі санат:

MOSFETs

Tags

SSM3J56A, SSM3J5, SSM3J, SSM3, SSM